IGBT的特點(diǎn)有以下幾個(gè)。

  (1)電流密度大,是MOsFET的數(shù)十倍c

   (2)輸入阻抗高,柵驅(qū)動(dòng)功率極小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。

   (3)低導(dǎo)通電阻。在給定MAX3222IDW芯片尺寸和σc㈨的條件下,其導(dǎo)通電阻Rc“⑴)不大于M0ⅢET的Rds(。n)的10%。

   (4)擊穿電壓高,安仝I作區(qū)大,在瞬態(tài)功率較高時(shí)不會(huì)受損壞。

   (5)開(kāi)關(guān)速度快,關(guān)斷時(shí)間短,耐壓1~1.8kⅤ的關(guān)斷時(shí)間約1,2u,ω0Ⅴ級(jí)的關(guān)斷時(shí)間約0.2灬,約為GTR的10%,接近于功率M0鉀ET,開(kāi)關(guān)頻率。r達(dá)100kHz,開(kāi)關(guān)損耗僅為σΓR的30%。

   ⒑BT是少子器件,它不但具有非常好的導(dǎo)通特性,而且也具有功率MO叩ET的許多特性,如容易驅(qū)動(dòng)、安全工作區(qū)寬、峰值電流大、堅(jiān)同耐用等。一般來(lái)講,⒑BT的開(kāi)關(guān)速度低于功率MOsFET,但是IR公司新系列IGBT的開(kāi)關(guān)特性非常接近功率MOSFET,而且導(dǎo)通特性也不受工作電壓的影響。由于⒑BT內(nèi)部不存在反向二極管,所以在應(yīng)用中可以靈活選用外接恢復(fù)二極管,這個(gè)特性是優(yōu)點(diǎn)還是缺點(diǎn),應(yīng)根據(jù)工作頻率、二極管的價(jià)格和電流等參數(shù)來(lái)衡量。