三星電子(Samsung Electronics)最近表示，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出4Gb的NAND閃存和512Mb的DRAM。NAND閃存采用70納米生產(chǎn)工藝，而DRAM則采用80納米生產(chǎn)工藝。

此外，三星還宣布推出一種名為“聚變內(nèi)存”的芯片，并希望該產(chǎn)品有助于NAND取代NOR閃存及其它內(nèi)存組合。聚變內(nèi)存是一種集成式、單芯片內(nèi)存，它把高密度內(nèi)存與邏輯器件集成在一起。第一個(gè)聚變內(nèi)存是512Mb NAND閃存，具有一個(gè)邏，它將內(nèi)存與邏輯器件集成在一塊芯片上。4Gb NAND閃存的內(nèi)存單元尺寸為0.025平方微米，包括一個(gè)30納米厚的鎢金屬門(mén)，將減少單元之間的阻抗和噪聲水平。新型鎢金屬門(mén)適于采用50納米工藝的設(shè)計(jì)。

    三星的DRAM采用了Recess Channel Array Transistor (RCAT)技術(shù)，以及高k氧化物工藝，滿足1.5V以下的低電壓需求。初期量產(chǎn)的是1-Gbit和512-Mbit，數(shù)據(jù)率為3Gbps。