這一時(shí)期晶間管中頻電源的啟動(dòng)方案多為帶有專門充電環(huán)節(jié)的撞擊式啟動(dòng)方案, INA105KU且控制板為多塊小控制板構(gòu)成的插件箱式結(jié)構(gòu)。整個(gè)控制系統(tǒng)通常由12塊控制板構(gòu)成(6塊整流觸發(fā)板、2塊逆變脈沖板、1塊正電源板、1塊負(fù)電源板、1塊保護(hù)板、1塊調(diào)節(jié)板),在這一時(shí)期快速晶間管國(guó)產(chǎn)水平關(guān)斷時(shí)間最快為35灬,而阻斷電壓最高不超過(guò)1600Ⅴ,平均電流最大為500A,由此決定了對(duì)功率容量超過(guò)350kW的感應(yīng)加熱采用中頻電源時(shí)不得不采用多只快速晶問(wèn)管并聯(lián)的方案。

   80年代初,人們將現(xiàn)代半導(dǎo)體微集成加工技術(shù)與功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行結(jié)合,相繼開發(fā)出一大批全控電力電子半導(dǎo)體器件(GTR、M0ⅢET、sIT、SITH及MCT等),為全固態(tài)超音頻、高頻電源的研制打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

    ⒛世紀(jì)⒇年代的大范圍推廣應(yīng)用期。經(jīng)歷了前述兩個(gè)時(shí)期,我國(guó)的晶間管中頻電源技術(shù)已較成熟。國(guó)產(chǎn)快速晶問(wèn)管制造工藝采用中子幅照等使關(guān)斷時(shí)間進(jìn)一步縮短,從35u左右降到z~s ILs左右,甚至⒛u以下;阻斷電壓已從1600Ⅴ上升到⒛00Ⅴ左右;快速晶閘管的容量進(jìn)一步提高,單管容量已從500A增加到1000A;控制技術(shù)已有撞擊式啟動(dòng)、零壓?jiǎn)?dòng)、內(nèi)/外橋轉(zhuǎn)換啟動(dòng)等方案,感應(yīng)加熱中頻電源的功率容量已從幾十千瓦增加到500kW,甚至1000kW。