光電檢測(cè)器利用材料的光電效應(yīng)制成
發(fā)布時(shí)間:2017/1/8 22:56:27 訪問(wèn)次數(shù):716
- 光電檢測(cè)器利用材料的光電效應(yīng)制成,光輻射下,電子逸出材料表面產(chǎn)生光電子發(fā)射稱(chēng)為外光電效應(yīng),MC14053BDR2G或者稱(chēng)為光電子發(fā)射效應(yīng)。電子并不逸出材料表面的為內(nèi)光電效應(yīng),包括光電導(dǎo)效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)及光磁電效應(yīng)。
光電子發(fā)射效應(yīng)
根據(jù)光的量子理論,頻率為Ⅳ的光照到材料表面時(shí),進(jìn)入固體的光能總是以整個(gè)光子的能量hxv起作用。固體中的電子吸收了能量后將增加動(dòng)能。其中向表面運(yùn)動(dòng)的電子,如果吸收的光能滿(mǎn)足途中由于與品格或其他電子碰撞而損失的能量外,尚有一定能量足以克服材料表面的勢(shì)壘(或叫逸出功),那么這些電子可以穿出材料表面,這些逸出表面的電子又稱(chēng)光電子。這種現(xiàn)象叫光電子發(fā)射或外光電效應(yīng)。
逸出表面的光電子最大可能的動(dòng)能由愛(ài)因斯坦方程描述:
Ek =hxv-m
式中,Ek是光電子的動(dòng)能,Ek = 1my2,其中m是光電子質(zhì)量;∥是光電子離開(kāi)材料表面的速度;∞是光電子發(fā)射材料的逸出功,表示產(chǎn)生一個(gè)光電子必須克服材料表面對(duì)其束縛的能量。
光電子的動(dòng)能與照射光的強(qiáng)度無(wú)關(guān),僅隨入射光的頻率增加而增加。
光電導(dǎo)效應(yīng)
若光照射到某些半導(dǎo)體材料上時(shí),透射到材料內(nèi)部的光子能量足夠大,某些電子吸收光子的能星,從原來(lái)的束縛態(tài)變成導(dǎo)電的自由態(tài),這時(shí)在外電場(chǎng)的作用下,流過(guò)半導(dǎo)體的電流會(huì)增大,即半導(dǎo)體的電導(dǎo)增大,這種現(xiàn)象叫光電導(dǎo)效應(yīng)。它是一種內(nèi)光電效應(yīng)。光電導(dǎo)效應(yīng)可分為本征型和雜質(zhì)型兩類(lèi)。
- 光電檢測(cè)器利用材料的光電效應(yīng)制成,光輻射下,電子逸出材料表面產(chǎn)生光電子發(fā)射稱(chēng)為外光電效應(yīng),MC14053BDR2G或者稱(chēng)為光電子發(fā)射效應(yīng)。電子并不逸出材料表面的為內(nèi)光電效應(yīng),包括光電導(dǎo)效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)及光磁電效應(yīng)。
光電子發(fā)射效應(yīng)
根據(jù)光的量子理論,頻率為Ⅳ的光照到材料表面時(shí),進(jìn)入固體的光能總是以整個(gè)光子的能量hxv起作用。固體中的電子吸收了能量后將增加動(dòng)能。其中向表面運(yùn)動(dòng)的電子,如果吸收的光能滿(mǎn)足途中由于與品格或其他電子碰撞而損失的能量外,尚有一定能量足以克服材料表面的勢(shì)壘(或叫逸出功),那么這些電子可以穿出材料表面,這些逸出表面的電子又稱(chēng)光電子。這種現(xiàn)象叫光電子發(fā)射或外光電效應(yīng)。
逸出表面的光電子最大可能的動(dòng)能由愛(ài)因斯坦方程描述:
Ek =hxv-m
式中,Ek是光電子的動(dòng)能,Ek = 1my2,其中m是光電子質(zhì)量;∥是光電子離開(kāi)材料表面的速度;∞是光電子發(fā)射材料的逸出功,表示產(chǎn)生一個(gè)光電子必須克服材料表面對(duì)其束縛的能量。
光電子的動(dòng)能與照射光的強(qiáng)度無(wú)關(guān),僅隨入射光的頻率增加而增加。
光電導(dǎo)效應(yīng)
若光照射到某些半導(dǎo)體材料上時(shí),透射到材料內(nèi)部的光子能量足夠大,某些電子吸收光子的能星,從原來(lái)的束縛態(tài)變成導(dǎo)電的自由態(tài),這時(shí)在外電場(chǎng)的作用下,流過(guò)半導(dǎo)體的電流會(huì)增大,即半導(dǎo)體的電導(dǎo)增大,這種現(xiàn)象叫光電導(dǎo)效應(yīng)。它是一種內(nèi)光電效應(yīng)。光電導(dǎo)效應(yīng)可分為本征型和雜質(zhì)型兩類(lèi)。
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