離子注入工藝由于其與生俱來的，對于摻雜的控制而取代_『熱擴散上藝。，可是離子注入BA5152F工藝要求一個稱為退火( annealing)的加熱操作來把離子注入產(chǎn)生的品格損傷消除。傳統(tǒng)}i，退火工藝由管式反應(yīng)爐來完成。盡管退火工藝可以消除晶格損傷，但它同時也引起摻雜原子晶圓內(nèi)部分散開，這是不希望發(fā)生的。這個問題促使人們?nèi)パ芯渴欠襁�有其他的能量源來達到同樣的退火效果而不使摻雜物擴散開。這一研究導(dǎo)致了快速熱處理( RTP)的開發(fā)。，

   RTP工藝基于熱輻射原理。晶圓被自動放入一個有進氣口和出氣¨的反應(yīng)室中。在內(nèi)部，加熱源在晶圓的上面或下面，使晶圓被快速加熱。熱源包括石墨加熱器、微波、等離子體和碘鎢燈17j。碘鎢燈是最常見的。熱輻射耦合進入晶圓表面并以每秒50℃~ 100cc的速率達到800C—1050℃工藝溫度j1 9。在傳統(tǒng)的反應(yīng)爐里，需要幾分鐘才能達到同樣的溫度。

   同樣地，在幾秒之內(nèi)就可以冷卻下來對于輻射加熱，由于加熱時間裉短，晶圓本體并未升溫。對于離子注入的退火工藝，這意

味著，晶格損傷被修復(fù)了，而注入的原子還呆在原位置。

   RTP的應(yīng)用減少了工藝所需的熱預(yù)算(thermal budget)。每次在擴散溫度附近加熱，使晶圓中的摻雜區(qū)向下或向旁邊擴散（見第1 1章），，每次晶圓的加熱或冷卻都會產(chǎn)生更多晶格位錯（見第3章）。因此，減少加熱的總時間可以使設(shè)計的密度增加，減少由位錯引起的失效。

   另一個優(yōu)點是單片工藝。隨著晶圓的直徑越來越大，對均勻度的要求使得許多工藝最好采用單片工藝的設(shè)備.