在大多數(shù)制造生產(chǎn)線上，C/V分析也用來確認爐管及相關部件的潔凈度。一個低的AD8016ARB-REEL可移動離子污染的氧化膜意味著整個系統(tǒng)是潔凈的。當氧化膜不能通過這一測驗規(guī)定的標準時需要進一步調(diào)查來確定其污染來源，，

   第二個與氧化膜清潔有關的參數(shù)是介電強度。這一參數(shù)通過對氧化層的破壞性測試來測量氧化層的介電特性（非導電）．，

   第三個潔凈度因素是氧化層的折射率。折射是光線通過透明物質(zhì)時產(chǎn)生的彎曲現(xiàn)象∥一種物體的底部在水中的實際位置與其外觀L_看到的位置不同就是一個典型的例子。純氧化膜的折射率是1. 46。這一數(shù)值的變化反映了氧化層不純的程度。折率常數(shù)是許多應用干涉原理測量厚度技術的基礎。參數(shù)的變化會導致錯誤的測量結果。折射率用干涉祁橢圓偏光法技術來測量（見第14章）。

   不同氧化工藝的組成可以安排成一個組合形式( cluster arrangement)（見第15章）。 在小的、高性能的MOS晶體管的生產(chǎn)中，一個重要因素是薄的柵氧化層。然而，在ioo A（或更�。┓秶鷥�(nèi)，二氧化硅膜質(zhì)量趨于變差，并難以控制。二氧化硅膜的一種替代品是熱生長氮化硅膜( Si3 N4)。在這么薄的范圍內(nèi)，氮

化硅膜比二氧化硅膜更致密，針孔更少。它還是一種很好的擴散阻擋層。由于在最初快速生長之后的平滑生長特性，使得薄膜的生長控制得到加強。圖7. 32顯示了這個特性。這一反應是在950℃~ 1200℃之間，硅表面暴露在氨氣(NH3)中而生成氮化硅的29。

   有些先進器件使用氮化氧化硅( Si0，N，)膜，也稱為氮氧化物( nitride-oxide)膜。它們形成于二氧化硅膜的氮化，但不像二氧化硅膜。氮氧化物膜的組分隨著不同的生長工藝而變化[30]。另一種MOS(100>硅的氮化.