當(dāng)把晶圓從石英舟上卸下后，AD8013AN要對這些晶圓進(jìn)行檢測和評估、評估的特性和數(shù)目依賴于氧化層和特定電路對精確度及潔凈度的要求（評估過程的詳細(xì)內(nèi)容將在第14章中予以描述）。

   氧化：藝的要求就是在晶圓表面七生長一層均勻、無污染的二氧化硅層。當(dāng)進(jìn)行晶圓制造操作時，在晶圓表面積累_『熱生長的氧化和其他淀積層。那些其他淀積層干擾Jl特殊氧化的最終質(zhì)量。因?yàn)檫@個原因，一批具有氧化膜的晶圓進(jìn)入爐管時，這其中包括一定數(shù)量的測試晶圓，這螳表面裸露的晶圓被按一定的目的放入石英舟中的特定位置。測試晶圓對于那些需要破壞性或要求大面積未受到干擾的氧化區(qū)域的評估是必需的。作為氧化操作的結(jié)論，它們被用來做1：藝的評估。一些評估由操作員在線實(shí)行，另一些評估由質(zhì)量控制( QC)實(shí)驗(yàn)室離線實(shí)施。

   表面檢測

   對氧化膜潔凈度的快速檢測是由操作員在晶圓從氧化石英舟卸下后實(shí)施的。在高亮度的紫外線( uv)F對每片晶圓進(jìn)行檢測。晶圓的表面顆粒、不規(guī)則度、污點(diǎn)都會在紫外線下顯現(xiàn).

   氧化膜厚度

   氧化膜的厚度是非常重要的、町以選用幾種不同的技術(shù)在測試晶圓上來測量（見第14章）。這些技術(shù)包括：顏色比較，邊緣記數(shù)、干涉、橢偏儀、刻紋針振幅儀和電子掃描顯微鏡( SFJM)。

   氧化膜和爐管清洗

   除了顆粒和污點(diǎn)的物理污染以外，氧化膜應(yīng)該將可移動離子污染量減到最小。這些叮以用復(fù)雜的電容一電壓( C/V)技術(shù)來檢測，這種技術(shù)檢測氧化層中可移動離子的總數(shù)，但它不能確定這些污染的來源，這螳污染也許來自爐管、氣體、晶圓或清洗工藝。因此，C/V分析僅是一個晶圓合格／不合格的指標(biāo)，是對整個爐管操作的檢驗(yàn)。