硅光電池的選用方法
發(fā)布時(shí)間:2017/2/23 20:58:10 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):734
硅光電池的選用方法
①硅光電池的壽命很長(zhǎng)、 AD8534ARZ性能很穩(wěn)定,但應(yīng)注意電池的保護(hù),不可使之受機(jī)械損傷,一旦硅光電池破碎則無(wú)法再使用。
②硅光電池切不可受潮、亦不可沾油污,否則將使電池的反射膜脫落。
③應(yīng)盡量避免以白熾燈的光源長(zhǎng)時(shí)間照射硅光電池,如此會(huì)造成電池溫度的升高,降低輸出功率。
④硅光電池的輸出電壓通常是0.5V,若需要獲得較高的電壓,則可將硅光電池串聯(lián)起來(lái)使用;若要獲得較大的電流,則可將硅光電池并聯(lián)起來(lái)使用。硅光電池串、并聯(lián)之后,即可獲得一定輸出功率的電池組。這種電池組可作為電源來(lái)使用,也可與蓄電池配合來(lái)共同完成對(duì)負(fù)載的供電。如圖14丬6所示,無(wú)光照時(shí),由蓄電池向負(fù)載供電;有光照時(shí),則由硅光電池向負(fù)載供電,同時(shí)給蓄電池進(jìn)行充電。圖1446中的VD表示防逆流二極管,其反向耐壓值要高于蓄電池的電壓,最大丁作電流則應(yīng)大于硅光電池組的最大輸出電流。
硅光電池的選用方法
①硅光電池的壽命很長(zhǎng)、 AD8534ARZ性能很穩(wěn)定,但應(yīng)注意電池的保護(hù),不可使之受機(jī)械損傷,一旦硅光電池破碎則無(wú)法再使用。
②硅光電池切不可受潮、亦不可沾油污,否則將使電池的反射膜脫落。
③應(yīng)盡量避免以白熾燈的光源長(zhǎng)時(shí)間照射硅光電池,如此會(huì)造成電池溫度的升高,降低輸出功率。
④硅光電池的輸出電壓通常是0.5V,若需要獲得較高的電壓,則可將硅光電池串聯(lián)起來(lái)使用;若要獲得較大的電流,則可將硅光電池并聯(lián)起來(lái)使用。硅光電池串、并聯(lián)之后,即可獲得一定輸出功率的電池組。這種電池組可作為電源來(lái)使用,也可與蓄電池配合來(lái)共同完成對(duì)負(fù)載的供電。如圖14丬6所示,無(wú)光照時(shí),由蓄電池向負(fù)載供電;有光照時(shí),則由硅光電池向負(fù)載供電,同時(shí)給蓄電池進(jìn)行充電。圖1446中的VD表示防逆流二極管,其反向耐壓值要高于蓄電池的電壓,最大丁作電流則應(yīng)大于硅光電池組的最大輸出電流。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 流動(dòng)燈光是采用流動(dòng)的照明方式
- 電視信號(hào)發(fā)生器
- 光電池的主要特性參數(shù)
- 集電極最大允許電流
- 硅光電池的主要作用是將光能轉(zhuǎn)換為電能
- 靈敏度分析
- 復(fù)合管與孿生管
- 回旋管
- 光敏二極管性能好壞的檢測(cè)
- 掌握負(fù)反饋放大電路頻率特性的測(cè)試方法
推薦技術(shù)資料
- 機(jī)器小人車(chē)
- 建余愛(ài)好者制作的機(jī)器入從驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)上大致可以分為兩犬類(lèi),... [詳細(xì)]
- AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- GB300 超級(jí)芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個(gè)最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究