電波暗室在完成屏蔽殼體的建造后,應(yīng)進(jìn)行屏蔽效能的測(cè)試。在粘貼吸波材料后, DAD1000CPFPG4則應(yīng)進(jìn)行歸一化場(chǎng)地衰減和測(cè)試面場(chǎng)均勻性的測(cè)試。

   歸一化場(chǎng)地衰減測(cè)試(NsA)

   既然電磁屏蔽半電波暗室是為模擬開(kāi)闊場(chǎng)而建造,那么暗室中的NSA測(cè)量值就應(yīng)和開(kāi)闊場(chǎng)上的測(cè)量值相一致,測(cè)試值的誤差不超過(guò)±4dB。ANsI C63.4、CI叩R22對(duì)半電波暗室模擬開(kāi)闊場(chǎng)的NSA測(cè)量做了規(guī)定,CI叩R22還給出了使用寬帶天線和推薦尺寸的半電波暗室歸一化場(chǎng)地衰減標(biāo)準(zhǔn)值。

   均勻域測(cè)試

   “均勻域”是一個(gè)假想的垂直平面,在該平面中電磁場(chǎng)的變化令人滿意地小。該均勻域尺寸為1.5m×1.5m。在布置試驗(yàn)時(shí),應(yīng)使受試設(shè)備受照射的面與均勻域的垂直平面重合。

   由于靠近參考地平面不可能建立一個(gè)均勻場(chǎng),所以校準(zhǔn)的區(qū)域在離參考地平面上方不低于0.8m處,受測(cè)設(shè)備也盡可能置于同樣的高度上。均勻域的校準(zhǔn)應(yīng)在空的屏蔽暗室中進(jìn)行。在規(guī)定的區(qū)域內(nèi)Ts%的表面上,場(chǎng)的幅值偏差在標(biāo)稱(chēng)值的0dB~+6dB,即可認(rèn)為該場(chǎng)地是均勻的(即若測(cè)量16個(gè)點(diǎn),其中至少有12個(gè)點(diǎn)在容差范圍內(nèi))。