導(dǎo)體上的交流電壓產(chǎn)生電場,這個電場與鄰近的導(dǎo)體耦合,并在導(dǎo)體上感應(yīng)出電壓。M13L128168A-3.6T在敏感導(dǎo)體上感應(yīng)的電壓為

   Cc――耦合電容;

   zin――敏感電路的對地阻抗。

  這里假設(shè)耦合電容阻抗大大高于電路阻抗。噪聲似乎是從電流源注人的,Cc的值與導(dǎo)體之間的距離、有效面積及有無電屏蔽材料有關(guān)。典型例子是兩個平行絕緣導(dǎo)線,間隔0.1血時,其耦合電容大約為每米sOpF;未屏蔽的中等功率電源變壓器的初次級間電容100~1000pF。

   在上述情況中,兩個電路都必須連接參考地,這樣耦合路徑才能完整。但是如果有一個電路未接地,并不意味著沒有耦合通路。未接地的電路與地之間存在雜散電容,這個電容與直接耦合電容串聯(lián)。另外,即使沒有任何地線,騷擾源至敏感設(shè)各的低電壓端之間也存在寄生電容。噪聲電流還是能夠加到敏感部位,但其值由Cc和雜散電容的串聯(lián)值決定。

   負(fù)載電阻的影響

   需要注意的是,磁場和電場耦合的等效電路之間的差異決定了電路負(fù)載電阻的變化引起的結(jié)果是不同的。電場耦合隨RL增大而增大,而磁場耦合隨RL增大而減小。例如,在觀察耦合電壓時,改變RL,就能夠推斷哪一種耦合模式起主導(dǎo)作用。同理,低阻抗電路對磁場耦合的影響更大,而高阻抗電路對電場耦合的影響更大。