可用屏蔽效能(sE)對屏蔽罩的適用性進(jìn)行評估,其單位是分貝,計算式為

    吸收損耗,單位為dB;

   反射損耗,單位為dB;

   校正因子,單位為dB(適用于薄屏蔽罩內(nèi)存在多個反射的情況)。

一個簡單的屏蔽罩會使所產(chǎn)生的AT49BV1614T-90TC電磁場強(qiáng)度降至最初的1/10,即SE=⒛dB;而有些場合可能會要求將場強(qiáng)降至最初的十萬分之一,即SE)100dB。吸收損耗是指電磁波穿過屏蔽罩時能量損耗的數(shù)量,吸收損耗近場反射損耗的大小取決于電磁波源的性質(zhì)及屏蔽罩與波源的距離。

   對于桿狀或直線形發(fā)射天線而言,此時發(fā)射將以電場為主,離波源越近波阻越高,然后隨著與波源距離的增加而下降,當(dāng)距離超過波長的1/6時,波阻不再變化,恒定在377Ω處。但平面波阻則無變化(恒為377Ω)。相反,如果波源是一個小型線圈,則此時發(fā)射將以磁場為主,離波源越近波阻越低。波阻隨著與波源距離的增加而增加,當(dāng)距離超波長的1/6時,波阻不再變化,恒定在貿(mào)7Ω處。

   反射損耗隨波阻與屏蔽阻抗的比率變化,因此它不僅取決于波的類型,而且取決于屏蔽罩與波源之間的距離。這種情況適用于小型帶屏蔽的設(shè)備。