電壓閃爍測量標(biāo)準(zhǔn)介紹
發(fā)布時(shí)間:2017/3/22 22:13:35 訪問次數(shù):1876
當(dāng)前有效的國家標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)諧波電流限制的有兩個(gè):GB17Ω5.2-2OO7《電磁兼容限值對(duì)每相額定電流≤16A且無條件接人的設(shè)備在公用低壓供電系統(tǒng)中產(chǎn)生的電壓變化、 RA30H4047M電壓波動(dòng)和閃爍的限制》(以下簡稱GB17能5.2)、GB/Z17ω5.3―20∞《電磁兼容限值對(duì)額定電流大于16A的設(shè)備在低壓供電系統(tǒng)中產(chǎn)生的電壓波動(dòng)和閃爍的限制》。下面以GB17ω5.2標(biāo)準(zhǔn)為例,對(duì)電壓波動(dòng)和閃爍的測量進(jìn)行簡要介紹。
測試依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):GB17ω5.2―2007。適用范圍:接人頻率為sOHz、相電壓為2⒛~2~sOⅤ;無條件接人公用低壓市電供電系統(tǒng),且每相輸入電流不大于16A。GB1%25.2是一個(gè)通用電磁兼容標(biāo)準(zhǔn),適合于GB17⒍5.2的產(chǎn)品類別較多,如家用電器、電動(dòng)工具、電氣照明設(shè)備、信息技術(shù)設(shè)備、影音設(shè)備等。測量和限制的參數(shù)包括相對(duì)電壓變化特性J(ε)、最大相對(duì)電壓變化甌ax、相對(duì)穩(wěn)態(tài)電壓變化dc、短期閃爍P針、長期閃爍Ph等參數(shù)。
當(dāng)前有效的國家標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)諧波電流限制的有兩個(gè):GB17Ω5.2-2OO7《電磁兼容限值對(duì)每相額定電流≤16A且無條件接人的設(shè)備在公用低壓供電系統(tǒng)中產(chǎn)生的電壓變化、 RA30H4047M電壓波動(dòng)和閃爍的限制》(以下簡稱GB17能5.2)、GB/Z17ω5.3―20∞《電磁兼容限值對(duì)額定電流大于16A的設(shè)備在低壓供電系統(tǒng)中產(chǎn)生的電壓波動(dòng)和閃爍的限制》。下面以GB17ω5.2標(biāo)準(zhǔn)為例,對(duì)電壓波動(dòng)和閃爍的測量進(jìn)行簡要介紹。
測試依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):GB17ω5.2―2007。適用范圍:接人頻率為sOHz、相電壓為2⒛~2~sOⅤ;無條件接人公用低壓市電供電系統(tǒng),且每相輸入電流不大于16A。GB1%25.2是一個(gè)通用電磁兼容標(biāo)準(zhǔn),適合于GB17⒍5.2的產(chǎn)品類別較多,如家用電器、電動(dòng)工具、電氣照明設(shè)備、信息技術(shù)設(shè)備、影音設(shè)備等。測量和限制的參數(shù)包括相對(duì)電壓變化特性J(ε)、最大相對(duì)電壓變化甌ax、相對(duì)穩(wěn)態(tài)電壓變化dc、短期閃爍P針、長期閃爍Ph等參數(shù)。
上一篇:電壓閃爍的產(chǎn)生及危害
上一篇:電壓波動(dòng)
熱門點(diǎn)擊
- 搭接電阻的要求
- 高阻型運(yùn)算放大器
- 波阻抗
- 電壓閃爍測量標(biāo)準(zhǔn)介紹
- 環(huán)路面積
- 靜電對(duì)器件造成的損壞有顯性的和隱性的兩種
- 波阻抗
- 邊沿速率問題
- 電磁騷擾(EMI)的定義
- 各種傳輸線中的電磁輻射騷擾主要有以下幾個(gè)來源
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣,同時(shí)又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- 首款集成 Bal
- 第二代4納米系統(tǒng)
- 集成低壓硅基MOSFET應(yīng)用詳
- 高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換&
- 新型高壓650V GaN FE
- 低噪聲 μModule DC/DC 轉(zhuǎn)換器技
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究