靜電對器件造成的損壞有顯性的和隱性的兩種
發(fā)布時間:2017/3/22 22:44:43 訪問次數(shù):1689
靜電對器件造成的損壞有顯性的和隱性的兩種。隱性損壞在當(dāng)時看不出來,器件會變得更脆弱,REF02EZ在過壓、高溫等條件下極易損壞。
EsD兩種主要的破壞機(jī)制是:由于EsD電流產(chǎn)生熱量導(dǎo)致設(shè)各的熱失效;于ESD感應(yīng)出高的電壓導(dǎo)致絕緣擊穿。兩種破壞可能在一個設(shè)各中同時發(fā)生,例如,絕緣擊穿可能激發(fā)大的電流,這又進(jìn)一步導(dǎo)致熱失效。除容易造成電路損壞外,靜電放電也極易對電子電路造成干擾。靜電放電對電子電路的干擾有兩種方式。
一種方式是傳導(dǎo),若電路的某個部分構(gòu)成了放電路徑,即靜電放電電流直接侵入設(shè)備內(nèi)的電路,如人手去觸摸印制板上的軌線、引腳、設(shè)各的I/0接口端子、同軸插座的芯線等,靜電放電電流流過集成片的輸入端,造成干擾。另一種方式是輻射干擾c即靜電放電時伴隨火花產(chǎn)生了尖峰電流,這種電流中包含有豐富的高頻成分,從而產(chǎn)生輻射磁場和電場,磁場能夠在附近電路的各個信號環(huán)路中感應(yīng)出干擾電動勢。由于在很短時間內(nèi)發(fā)生較大的電流變化(前面提到150Ⅱ內(nèi)電流變化⒛A),所以在信號環(huán)路中產(chǎn)生的干擾電動勢很可能超過邏輯電路的閾值電平,引起誤觸發(fā)。輻射干擾的大小還取決于電路與靜電放電點(diǎn)的距離。
靜電放電產(chǎn)生的磁場隨距離的平方衰減。靜電放電產(chǎn)生的電場可以被印制板上的軌線或設(shè)備的I/0線接收,從而產(chǎn)生干擾。電場的瞬時峰值很高,可達(dá)幾百千伏/米至幾千千伏/米,但隨距離的立方值衰減。當(dāng)距離較近時,無論是電場還是磁場都是很強(qiáng)的。因此在靜電放電位置附近的電路一般會受到影響。
靜電對器件造成的損壞有顯性的和隱性的兩種。隱性損壞在當(dāng)時看不出來,器件會變得更脆弱,REF02EZ在過壓、高溫等條件下極易損壞。
EsD兩種主要的破壞機(jī)制是:由于EsD電流產(chǎn)生熱量導(dǎo)致設(shè)各的熱失效;于ESD感應(yīng)出高的電壓導(dǎo)致絕緣擊穿。兩種破壞可能在一個設(shè)各中同時發(fā)生,例如,絕緣擊穿可能激發(fā)大的電流,這又進(jìn)一步導(dǎo)致熱失效。除容易造成電路損壞外,靜電放電也極易對電子電路造成干擾。靜電放電對電子電路的干擾有兩種方式。
一種方式是傳導(dǎo),若電路的某個部分構(gòu)成了放電路徑,即靜電放電電流直接侵入設(shè)備內(nèi)的電路,如人手去觸摸印制板上的軌線、引腳、設(shè)各的I/0接口端子、同軸插座的芯線等,靜電放電電流流過集成片的輸入端,造成干擾。另一種方式是輻射干擾c即靜電放電時伴隨火花產(chǎn)生了尖峰電流,這種電流中包含有豐富的高頻成分,從而產(chǎn)生輻射磁場和電場,磁場能夠在附近電路的各個信號環(huán)路中感應(yīng)出干擾電動勢。由于在很短時間內(nèi)發(fā)生較大的電流變化(前面提到150Ⅱ內(nèi)電流變化⒛A),所以在信號環(huán)路中產(chǎn)生的干擾電動勢很可能超過邏輯電路的閾值電平,引起誤觸發(fā)。輻射干擾的大小還取決于電路與靜電放電點(diǎn)的距離。
靜電放電產(chǎn)生的磁場隨距離的平方衰減。靜電放電產(chǎn)生的電場可以被印制板上的軌線或設(shè)備的I/0線接收,從而產(chǎn)生干擾。電場的瞬時峰值很高,可達(dá)幾百千伏/米至幾千千伏/米,但隨距離的立方值衰減。當(dāng)距離較近時,無論是電場還是磁場都是很強(qiáng)的。因此在靜電放電位置附近的電路一般會受到影響。
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