這里簡要介紹一些典型的紅外探測器的基本特點。     .

   1)HgCdTe探測器

   HgCdTe材料有較寬的光譜覆蓋范圍,其光譜適應性直接與它能生長的合金組分有關, FAN7888MX這樣可對某特定波長的響應最優(yōu)化。光伏HgCd%器件的波長一般小于12um,對于3um~5um中波紅外應用,可以在175K~⒛0K溫度下工作。這樣可以采用熱電制冷。對于短波紅外應用,可以在更高的溫度下工作,甚至室溫或室溫以上。光伏H匹dTe量子效率較高,不加抗反射鍍層的量子效率已超過甾%。HgCdTe材料適宜做紅外器件材料的優(yōu)良物理性質包括:

   (1)Hg1~≈Cd憑Te是二元化合物CdTe和HgTe的連續(xù)固溶體,其中CdTe是半導體,禁帶寬度約1.6eⅤ(77Κ),H「e是半金屬,禁帶寬度約-0.3eⅤ(77Κ),在一定溫度下,組分“決定了材料的禁帶寬度,通過調節(jié)冗值可得到不同的禁帶寬度(Eg),其值可以從0eⅤ到1.6eⅤ連續(xù)變化,這幾乎覆蓋了所有重要紅外大氣窗口的響應波段;

   (2)HgCdTe材料的電子有效質量小而本征載流子濃度低,故反向飽和電流小,探測器噪聲低,探測率高;

   (3)HgCdTe材料的介電常數小,減小了器件電容,提高了頻率響應;

   (4)H匪d%材料的電子遷移率高;

   (5)H四dTe材料的載流子壽命長;

   (6)H匪dTe材料的本征躍遷,吸收系數大,量子效率高;

   (7)HgC/dTe材料的表面生長的氧化物化學穩(wěn)定,可得到表面態(tài)密度低的半導體氧化物界面;

   (8)HgCdTe材料熱膨脹系數較接近硅,易于制造與硅CCD混成的陣列器件。