雖然Hgcdte材料相對于以往的紅外探測器材料來說有著許多優(yōu)勢,但是HgCdTe材料制作的探測器同樣存在很大的局限,主要表現(xiàn)為:

   (1)HgCd%的晶體制備困難,材料具FAN8200有較高的本征缺陷密度,且在較高溫度或輻射作用下性能不穩(wěn)定;

  (2)HgCdTe要求有極為精確的組分控制,精確地確定其禁帶寬度,以控制材料的光譜響應截止波長,這就要求整個晶片有很高的組分均勻性,這使得制各探測器陣列難度增大;

   (3)H匹dTe材料本身存在著嚴重的隧道效應,用這種材料制作的器件在T9Κ工作時隧道電流大,為了使其能夠靈敏地探測出紅外輻射量的微弱變化,必須在低溫制冷條件下工作,以抑制熱噪聲的影響,因而裝置復雜,價格昂貴,使用不方便,在應用方面受到諸多限制。