半導(dǎo)體材料，G006-8510顧名思義就是本身就有一螳天然導(dǎo)電能力的材料。有兩種半導(dǎo)體元素——硅和鍺，在元素周期表中位于第4列。另外，還有好幾卜種化合物材料（化合物就是兩個(gè)或更多元素化合的材料）也表現(xiàn)出半導(dǎo)體的特性，這些化合物源自元素周期表中第3列和第4列的元素，如砷化鎵和磷化鎵。其他化合物源自元素周期表中第2列和第6列的元素。

   本征( intrinsic:)這個(gè)術(shù)語(yǔ)指的是材料處于純凈的狀態(tài)而未摻雜雜質(zhì)或其他物質(zhì)半導(dǎo)體材料在其本征狀態(tài)時(shí)是不能用于固態(tài)器件的。但是通過(guò)一種稱為摻雜( doping)的工藝，可以把特定的元素引入到本征半導(dǎo)體材料中。這些無(wú)素可以提高本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性，摻雜的材料表現(xiàn)出兩種獨(dú)特的特性，它們是固態(tài)器件的礎(chǔ)。這兩種特性是：

    摻雜半導(dǎo)體的電阻率：金屬電阻率的范圍在每歐姆·厘米l04~ 106之間，該范圍的含義可以通過(guò)對(duì)如圖2.5所示的電阻進(jìn)行測(cè)量得到．如果固定體積的金屬電阻率確定，改變電阻的唯一力‘法是改變金屬的形狀。而在有半導(dǎo)體特性的材料中，電阻率可以改變，從而在電阻的設(shè)計(jì)中增加了又…個(gè)自由度。半導(dǎo)體就是這樣的材料，其電阻率的范圍叮以通過(guò)摻雜擴(kuò)展到10 I~103之間.