熱擴(kuò)散是在1000 cC左右的高溫下發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，晶圓暴露在一定摻雜元素氣態(tài)下、擴(kuò)G34N100E散的簡(jiǎn)單例子就如同除臭劑從壓力容器內(nèi)釋放到房間內(nèi)，氣態(tài)下的摻雜原子通過擴(kuò)散化學(xué)反應(yīng)遷移到暴露的晶圓表面，形成一層薄膜，在芯片應(yīng)用中，熱擴(kuò)散也稱為固態(tài)擴(kuò)散，因?yàn)榫?/span>圓材料是固態(tài)的。、擴(kuò)散摻雜是一個(gè)化學(xué)反應(yīng)過程  由物理規(guī)律支配雜質(zhì)的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)．

    離子注入是一個(gè)物理過程，晶圓被裝在離子注入機(jī)的一端，摻雜離子源（通常為氣態(tài)）在另·端在離子源一端，摻雜體原子被離子化（帶有一定的電荷），被電場(chǎng)加到超高速，穿過晶圓表層，原子的動(dòng)鼉將摻雜原子注入晶圓表層，就好像一粒子彈從槍內(nèi)射入墻中.

   摻雜：藝的目的是在晶圓表層內(nèi)建立兜形區(qū)，或是富含電子（N型）或是寓含審穴（P剄）  這些兜形區(qū)形成電性活性區(qū)和PN結(jié)，在電路中的晶體管一二極管、電容器、電阻器都依靠它割4.15  晶片表面的N型和P型摻雜區(qū)的構(gòu)成.

   熱處理是簡(jiǎn)單地將晶圓加熱和冷卻來達(dá)到特定結(jié)果的制程  在熱處理的過程中，在晶圜}二沒有增加或減去任何物質(zhì)，然而一L藝過程叮能會(huì)在晶圓中或晶在離子注入制程后會(huì)有·步重要的熱處理摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會(huì)被熱處理修復(fù)，這稱為退火( anneal)，溫度在1000℃左右  另外，金屬導(dǎo)線在晶圓f：制成后會(huì)有·步熱處理，這螳導(dǎo)線在電路的各個(gè)器件之問承載電流，為r確保良好的導(dǎo)電性，金屬會(huì)在450。C熱處理后與晶圓表面緊密熔合熱處理的第三種重要用途是通過加熱在晶圓表面的光刻膠將溶劑蒸發(fā)掉，從而得劍精確的圖形.