第—步是電路版圖設(shè)計，它是半導(dǎo)體集成電路所獨有的。電路的工作運行與很多因素相關(guān)， G30N60RUFD包括材料電阻率，材料物理特性和元件的物理尺寸。另外的因素是各個元件之間的相對定位關(guān)系。所有這些要考慮的因素決定了元件、器件、電路的物理布局和尺寸。j線路圖設(shè)計開始于使崩復(fù)雜尖端的計算機輔助設(shè)計系統(tǒng)( CAD)將每一個電路元件轉(zhuǎn)化為具體的圖形和尺寸。通過CAD系統(tǒng)構(gòu)造成電路，接下來將是把最后的設(shè)計完全復(fù)制。，得出的結(jié)果是一張展示所有子層圖形的復(fù)合疊加圖。此圖稱為復(fù)合圖( composite drawing)。復(fù)合圖類似于一座多層辦公樓的設(shè)計圖，從頂部俯視并展示所有樓層。但是，復(fù)合圖是實際電路尺寸的許多倍。，制造集成電路和蓋樓房同樣需要一層層地建，因此必須將電路的復(fù)合圖分解為每層的沒計圖。以一個簡單的硅柵MOS晶體管舉例圖解了復(fù)合圖形和分層圖形。

   每層的圖形是數(shù)字化的（數(shù)字化使圖形轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)庫）并由計算機處理的X-Y坐標(biāo)的設(shè)計圖。

   光刻母版和掩模版

   光刻工藝用于在晶圓表面和內(nèi)部產(chǎn)生需要的圖形和尺寸。將數(shù)字化圖形轉(zhuǎn)到晶圓上需要一砦加工步驟。在光刻制程中，準(zhǔn)備光刻母版( reticle)q是其中的一個中間步驟。光刻母版是在玻璃或石英板的鍍薄膜鉻層上生成分層設(shè)計電路圖的復(fù)制圖。光刻母版

可直接用于進(jìn)行光刻，也可能被用來制造掩模版。掩模版也是在玻璃底板表層鍍鉻。在加工完成后，在掩模版表面會覆蓋許多電路圖形的副本。掩模版用于在整個晶圓表面形成圖形。電子束曝光系統(tǒng)跳過光刻母版或掩模版，并直接在晶圓表面曝光。光刻母版和掩模版的制作過程將在第10章講述。