在微電子產(chǎn)品中作為襯底材料的硅是高度完整的晶體。盡管如此,在高度完整的晶體內(nèi)部也會存在微量缺陷。而且,在制作微電子產(chǎn)品的工藝過程中,GA1L4M-T1硅晶體內(nèi)也會產(chǎn)生缺陷,并且會根據(jù)需要人為地摻人雜質(zhì)。硅晶體中的缺陷主要有:零維的點缺陷、一維的線缺陷、二維的面缺陷和三維的體缺陷。

   硅晶體中的點缺陷(如圖⒈8所示)主要包括三種:空位、自填隙和雜質(zhì)。

   置上出現(xiàn)空缺,如圖⒈8中的A、A+;自填隙是硅原子不在晶格位置上,而是處于晶格位置之間,如圖⒈8中的B;雜質(zhì)是指硅以外的其他原子進入到硅晶體中,有兩種類型,替位雜質(zhì)(如圖⒈8中的C)和填隙雜質(zhì)(如圖⒈8中的D)。

   晶體中的原子由于熱運動脫離晶格位置進人晶格之問,從而成為自填隙原子,同時在原處留下一個空位,這種空位和自填隙原子的組合稱為弗倫克爾(FlcnkeD缺陷。白填隙原子和空位并不總是停留在它產(chǎn)生的位置,這兩種缺陷都可以在晶體中運動,在高溫時更是如此。這兩種缺陷都有可能遷移到晶體表面消失掉。