由硅的晶格結構及晶向、晶面特點可知,在E111彐晶向,原子分布最為不均勻,存在原G911T24子雙層密排面(111)。雙層密排面自身原子間距離最近,相比其他晶面結合最為牢固,晶面能也最低,化學腐蝕就比較困難和緩慢,所以腐蝕后容易暴露在表面,而在晶體生長過程中有使晶體表面成為{111}晶面的趨勢。相反,兩層雙層密排面之間的相鄰原子距離最遠,面間相互結合脆弱,晶格缺陷容易在這里形成和擴展,而在外力作用下,硅晶體很容易沿著"11}晶面劈裂,這種易劈裂的晶面稱為晶體的解理面。

   硅晶體的不同晶面、晶向性質(zhì)有所差異,因此,集成電路工藝是基于不同產(chǎn)品特性采用不同晶面的硅片作為襯底材料。

   硅的解理面(111)面為天然易劈裂面,由硅片劈裂形狀也能判斷出硅片的晶面。在(100)面上,(100)面與(111)面相交成呈90°角,因此(100)面硅片劈裂時裂紋呈矩形形狀;而(111)面和其他(111)面相交呈60°角,因此(111)面硅片劈裂時裂紋呈三角形形狀。