晶體中的缺陷是晶體內(nèi)部存在應力的標志
發(fā)布時間:2017/5/7 16:50:30 訪問次數(shù):2402
晶體中的缺陷是晶體內(nèi)部存在應力的標志。如在位GC5016-PB錯中,額外的原子列或原子面插人之后,圖19(a)中位錯線AB周圍原子的共價鍵分別被壓縮、拉長或懸掛。集成電路工藝過程中能夠誘導缺陷的應力主要有三種類型。其一,在硅晶體上有相當大的溫度梯度存在,發(fā)生非均勻膨脹,在晶體內(nèi)形成熱塑性應力,誘導缺陷。其二,硅晶體中存在高濃度的替位雜質(zhì),而這些雜質(zhì)原子半徑和硅原子半徑大小不同,即晶格失配,形成內(nèi)部應力誘導缺陷。其三,硅晶體表面受到機械外力,如表面劃傷,或受到其他原子的轟擊等,外力向晶體中傳遞,誘導缺陷。
面缺陷和體缺陷
在晶體結構中,面缺陷主要是層錯。如在晶體生長過程中,由于堆積排列次序發(fā)生錯亂,形成的面缺陷稱為堆垛層錯,簡稱層錯。層錯是一種區(qū)域性的缺陷,在層錯以外或以內(nèi)的原子都是規(guī)則排列的,只是在兩部分交界面處的原子排列才發(fā)生錯亂,所以它是一種面缺陷。
為改變硅單晶電阻率而摻入晶體中的Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)(如硼、磷、砷等)在硅晶體中只能形成有限同溶體。當摻人的數(shù)量超過晶體可接受的濃度時,雜質(zhì)將在晶體中沉積,形成體缺陷。晶體中的空隙也是一種體缺陷。另外,當晶體中點缺陷、線缺陷濃度較高時,也會因結團而產(chǎn)生體缺陷。
晶體中的缺陷是晶體內(nèi)部存在應力的標志。如在位GC5016-PB錯中,額外的原子列或原子面插人之后,圖19(a)中位錯線AB周圍原子的共價鍵分別被壓縮、拉長或懸掛。集成電路工藝過程中能夠誘導缺陷的應力主要有三種類型。其一,在硅晶體上有相當大的溫度梯度存在,發(fā)生非均勻膨脹,在晶體內(nèi)形成熱塑性應力,誘導缺陷。其二,硅晶體中存在高濃度的替位雜質(zhì),而這些雜質(zhì)原子半徑和硅原子半徑大小不同,即晶格失配,形成內(nèi)部應力誘導缺陷。其三,硅晶體表面受到機械外力,如表面劃傷,或受到其他原子的轟擊等,外力向晶體中傳遞,誘導缺陷。
面缺陷和體缺陷
在晶體結構中,面缺陷主要是層錯。如在晶體生長過程中,由于堆積排列次序發(fā)生錯亂,形成的面缺陷稱為堆垛層錯,簡稱層錯。層錯是一種區(qū)域性的缺陷,在層錯以外或以內(nèi)的原子都是規(guī)則排列的,只是在兩部分交界面處的原子排列才發(fā)生錯亂,所以它是一種面缺陷。
為改變硅單晶電阻率而摻入晶體中的Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)(如硼、磷、砷等)在硅晶體中只能形成有限同溶體。當摻人的數(shù)量超過晶體可接受的濃度時,雜質(zhì)將在晶體中沉積,形成體缺陷。晶體中的空隙也是一種體缺陷。另外,當晶體中點缺陷、線缺陷濃度較高時,也會因結團而產(chǎn)生體缺陷。
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相關技術資料- 5-24ESD試驗前應采用圖示儀對器件輸入或輇出片的IⅤ特性試
- 5-7晶體中的缺陷是晶體內(nèi)部存在應力的標志
- 5-5電子線路模塊
- 相關IC型號
- GC5016-PB
- GC5016-PBZ
公網(wǎng)安備44030402000607
