常用的施主、受主雜GM386S8質在硅晶體中只能形成有限替位式固溶體。替位雜質的原子半徑不是大于就是小于硅原子半徑,在1.2.2節(jié)中提到晶格的失配也可能引起位錯。當在同一硅晶體中,若某一部分摻入數量較多的外來原子,就會使晶格發(fā)生壓縮或膨脹,晶格常數將有所改變。在這種情況下,在摻雜和未摻雜的兩部分晶體界面上,將產生一定數量的位錯,以釋放因晶格失配所產生的應力。產生的應力大小取決于雜質原子的大小和濃度。因此,在需要進行局部摻雜的情況下,摻人和硅原子半徑相近的雜質將有利于減少這種類型的缺陷。如果硅原子的四面體半徑為Ⅱ,貝刂雜質原子的四面體半

徑可以寫成幻(1±ε),這里的ε定義為失配因子,表示由于引人這種雜質在晶格中產生應變的程度,也表示能夠在晶格中結合到電活性位置的摻雜劑的量。表⒈3列出了硅中各種摻雜劑的四面體半徑和失配因子。

   本章主要介紹了與集成電路制造技術相關的單晶硅的主要特性:硅晶體的結構特點,以及作為芯片襯底的硅的主要晶向、晶面的特點;硅晶體缺陷類型、產生原因,以及對工藝有重要影響的點缺陷的

特點;硅晶體中的雜質類型,對硅電阻率的影響,以及固溶度。