制各出的電子級(jí)高純度多晶硅中仍然含有十億分之幾的雜質(zhì)
發(fā)布時(shí)間:2017/5/7 17:36:29 訪問次數(shù):1242
還可以采用硅烷還原法作為酸洗硅的進(jìn)一步提純方法。首先將酸洗過的硅和氫氣反應(yīng)生成硅烷SlH4,SiH4常溫下是氣態(tài),易于純化,純化⒏H4后,K4S561633F-XL75加熱使其分解,獲得電子級(jí)高純度多晶硅。制各出的電子級(jí)高純度多晶硅中仍然含有十億分之幾的雜質(zhì)。集成電路I藝最為關(guān)注的雜質(zhì)是受主雜質(zhì)硼和施主雜質(zhì)磷,以及含量最多的碳。硼和磷的存在,降低了硅電阻率,用來制備本征單晶硅時(shí)一定要除去;而碳在硅中雖然不是電活性雜質(zhì),但它在制備硅單晶時(shí),在硅中呈非均勻分布,會(huì)引起顯著的局部應(yīng)變,使工藝誘生缺陷成核,造成電學(xué)性質(zhì)惡化。電子級(jí)純度硅中,硼雜質(zhì)含量<1ppb,磷雜質(zhì)含量(1ppb。雜質(zhì)含量越少,制各的單晶硅錠的純度就越高,晶格才能越完整。
單晶硅生長(zhǎng)
單晶材料的制備主要有3種方式:第一種是由固態(tài)多晶或非晶材料經(jīng)高溫高壓處理,使其轉(zhuǎn)變?yōu)?/span>單晶材料,如用石墨制造人工金剛石;第二種是由過飽和溶液來制各單晶材料,溶質(zhì)過飽和結(jié)晶析出為單晶材料,如蒸發(fā)海水得到的晶體氯化鈉顆粒;第=種是熔融體冷凝結(jié)晶形成單晶材料。單晶硅的制備就是采取第二種方式。
還可以采用硅烷還原法作為酸洗硅的進(jìn)一步提純方法。首先將酸洗過的硅和氫氣反應(yīng)生成硅烷SlH4,SiH4常溫下是氣態(tài),易于純化,純化⒏H4后,K4S561633F-XL75加熱使其分解,獲得電子級(jí)高純度多晶硅。制各出的電子級(jí)高純度多晶硅中仍然含有十億分之幾的雜質(zhì)。集成電路I藝最為關(guān)注的雜質(zhì)是受主雜質(zhì)硼和施主雜質(zhì)磷,以及含量最多的碳。硼和磷的存在,降低了硅電阻率,用來制備本征單晶硅時(shí)一定要除去;而碳在硅中雖然不是電活性雜質(zhì),但它在制備硅單晶時(shí),在硅中呈非均勻分布,會(huì)引起顯著的局部應(yīng)變,使工藝誘生缺陷成核,造成電學(xué)性質(zhì)惡化。電子級(jí)純度硅中,硼雜質(zhì)含量<1ppb,磷雜質(zhì)含量(1ppb。雜質(zhì)含量越少,制各的單晶硅錠的純度就越高,晶格才能越完整。
單晶硅生長(zhǎng)
單晶材料的制備主要有3種方式:第一種是由固態(tài)多晶或非晶材料經(jīng)高溫高壓處理,使其轉(zhuǎn)變?yōu)?/span>單晶材料,如用石墨制造人工金剛石;第二種是由過飽和溶液來制各單晶材料,溶質(zhì)過飽和結(jié)晶析出為單晶材料,如蒸發(fā)海水得到的晶體氯化鈉顆粒;第=種是熔融體冷凝結(jié)晶形成單晶材料。單晶硅的制備就是采取第二種方式。
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