直拉法生長單晶硅的主要工藝流程為:準備→開爐→生長9停爐。

準備階段先清洗和腐蝕多晶硅,去除表面的污物和氧化層,放人坩堝內。 K4T51163QG-HCE6再準備籽晶,籽晶作為晶核,必須挑選晶格完整性好的單晶,其晶向應與將要拉制的單晶錠的晶向一致,籽晶表面應無氧化層、無劃傷。最后將籽晶卡在拉桿卡具上。

   開爐階段是先開啟真空設各將單晶生長室的真空度抽吸至高真空,一般在102Pa以上,通入惰性氣體(如氬)及所需的摻雜氣體,至一定真空度。然后,打開加熱器升溫,同時打開水冷裝置,通入冷卻循環(huán)水。硅的熔點是1417℃,待多晶硅完全熔融,坩堝溫度升至約14⒛℃。

   生長過程可分解為5個步驟:引晶→縮頸→放肩→等徑生長一收尾。引晶又稱為下種,是將籽晶與熔體很好地接觸�？s頸是在籽晶與生長的單晶錠之問先收縮出晶頸,晶頸最細部分直徑只有2~3mm。放肩是將晶頸放大至所拉制晶錠的直徑尺寸,再等徑生長硅錠.直至耗盡坩堝內的熔體硅。最后收尾結束單晶生長。

   晶體生長中,控制拉桿提拉速度和轉速、坩堝溫度及坩堝反向轉速是很重要的,硅錠的直徑和生長速度與上述囚素有關。在坩堝溫度、坩堝反向轉速一定時,主要通過控制拉桿提拉速度來控制硅錠的生長。即籽晶熔接好后先快速提拉進行縮頸,再漸漸放慢提拉度進行放肩至所需直徑,最后等速拉出等徑硅錠。