在集成電路的加工過(guò)程中,氧化層厚度的控制是十分重要的。如柵氧化層的厚度在亞微米工藝中僅幾十納米,KP2310STL甚至幾納米。而通過(guò)Dea⒈Grovc氧化速率模型基本可以從理論上推導(dǎo)出硅的熱氧化過(guò)程中氧化劑濃度、氧化工藝時(shí)間與氧化層生長(zhǎng)速率和厚度之間的一般關(guān)系,預(yù)測(cè)熱氧化過(guò)程中的兩種極限情況。人們?cè)诟鞣N不同條件下,做了大量實(shí)驗(yàn)并與理論模型進(jìn)行比較,包括干氧氧化、水汽氧化和濕氧氧化(讓氧氣胃泡通過(guò)溫度為85℃的高純水,得到的水汽壓力為8,5×101Pa),氧化溫度在700^ˇ1⒛0℃之間,控制精度為±1℃,用多光束干涉法測(cè)量氧化層的厚度。硅熱氧化的普遍關(guān)系以及兩種極限情況的實(shí)驗(yàn)測(cè)定結(jié)果如圖⒋10所示。由圖可見(jiàn),在長(zhǎng)時(shí)問(wèn)氧化或氧化時(shí)間很短時(shí),氧化層厚度實(shí)測(cè)值與Deal Glo吹模型計(jì)算值吻合。在氧化層生長(zhǎng)工藝過(guò)程中,多種因素對(duì)氧化層生長(zhǎng)

速率常數(shù)產(chǎn)生影響。下面從溫度、氧化劑分壓、襯底晶向、摻雜濃度及雜質(zhì)類型等因素對(duì)氧化速率影響角度進(jìn) 行討論。