分子束外延設(shè)各復(fù)雜,是一種高精密設(shè)備。隨著技術(shù)的進(jìn)步,MBE設(shè)各不斷更新?lián)Q代,出現(xiàn)了多種類型,MAX1711EEG但其主要都是由生長室、噴射爐、監(jiān)控系統(tǒng)、襯底監(jiān)挎系統(tǒng) 裝填系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、裝片系統(tǒng)及控制系統(tǒng)組成。如熱站  圖⒊18所示是MBE系統(tǒng)主要組成部分。

   生長室也就是真空室,是外延生長場(chǎng)所,需要保持超高真空度。外延生長前的基壓,從早前的10:Pa,到當(dāng)前已接近10_n Pa,真空度不斷提高。而外延生長時(shí)的I作氣壓約為101Pa。生長室一般由不銹鋼材料制成,采用 圖⒊18 MⅢ系統(tǒng)主要組成部分  金屬密封接頭和閥門,以減少漏氣和控制進(jìn)氣速度。生長室的仝部元器件必須能承受約200℃的烘烤,以促進(jìn)室內(nèi)壁上吸附的水汽和氧的脫附。每當(dāng)因維修而打開生長室使系統(tǒng)內(nèi)表面暴露于大氣環(huán)境之后,必須對(duì)生長室進(jìn)行“烘烤”。通過“烘烤”或加熱室壁,可以將大氣帶人的吸附水汽被真空泵有效地抽出。

   生長室內(nèi)主要有襯底支架部分,噴射爐,監(jiān)控系統(tǒng)也在生長室內(nèi)。襯底支架部分用于放置襯底l并具有旋轉(zhuǎn)、升溫、控溫等功能。襯底的旋轉(zhuǎn)有利于噴射到襯底的外延分子(或原子)在襯底表面均勻分布;襯底保持一定溫度對(duì)獲得高質(zhì)量外延層有益,因?yàn)閲娚涞骄哂幸欢囟鹊耐庋由时砻娴姆?/span>子、原子能在襯底擴(kuò)散,遷移到結(jié)點(diǎn)位置規(guī)則排列,降低外延層的缺陷密度。