外延若按工藝溫度來分類,可以劃分為高溫外延、低溫外延和變溫外延。M24C32-MN6T高溫外延是指外延工藝溫度在1000℃以上的外延;低溫外延是指外延工藝溫度在1000℃以下的外延;變溫外延是指先在低溫(1∞0℃以下)成核,然后再升至高溫(1000℃以上,多在1200℃)進(jìn)行外延生長的工藝方法。

   按外延層/襯底電阻率分類

   將外延層電阻率和襯底電阻率對比,可以將外延工藝劃分為正外延和反外延。正外延是指低阻襯底上外延生長高阻層,器件做在高阻的外延層上;反外延是指高阻襯底上外延生長低阻層,而器件做在高阻的襯底上。

   按外延層結(jié)構(gòu)分類

   若按外延層結(jié)構(gòu)來分類.可以劃分為普通外延、選擇外延和多層外延。普通外延是指在整個襯底上生長外延層;選擇外延是指在襯底的選擇區(qū)域上生長外延層;多層外延是指外延層不止一層外延,如〃ll/llT si夕卜延片。除上述分類方法外,還可以按照外延層厚度、外延層導(dǎo)電類型、外延工藝反應(yīng)器的形狀等來進(jìn)行分類。

   外延工藝用途

   外延工藝誕生之初,所制備的硅外延片是用來制作雙極型晶體管的,襯底為高摻雜硅單晶,在襯底上外延生長幾到十幾個微米厚的低摻雜的外延層,晶體管就制在外延層上。這樣制作的外延晶體管有高的集電結(jié)擊穿電壓.低的集電極串聯(lián)電阻,性能優(yōu)良。使用外延硅片制作晶體管巧妙地解決了提高頻率和增大功率對集電區(qū)電阻率要求上的矛盾。圖⒊1所示就是尸pll型外延晶體管芯片剖視圖。

   在集成電路制造中,各元件之間必須進(jìn)行電學(xué)隔離,通過外延技術(shù)實現(xiàn)電學(xué)隔離就是其中的一種重要方法。常用的llll結(jié)隔離結(jié)構(gòu)剖視圖如圖32所示,在有n.埋層的p型襯底上外延生長一層n型外延層,冉重?fù)诫s形成p+隔離墻,從而構(gòu)成n型的隔離島。在隔離島中制作各元件,如果襯底接低電位,基于pn結(jié)單向?qū)щ娞匦?隔離島上的元件之間不導(dǎo)通。利用外延技術(shù)的pn結(jié)隔離是早期雙極型集成電路常用的電隔離方法。