硅的外延通常是采用氣相外延I藝,在低阻硅襯底上外延生長(zhǎng)高阻硅,得到午。

   氫氣還原四氯化硅(SiC)是典型的硅外延工藝,總化學(xué)反應(yīng)LD1117AS33TR方程式為典型的氣相外延設(shè)備示意圖如圖34所示。反應(yīng)器內(nèi)為常壓,作為外延襯底的硅片放置在基座上,襯底加熱是采∫H射頻加熱器.RF線圈只對(duì)基座(感應(yīng)器)加熱。四氯化硅在常溫下是液態(tài),將其裝 在源瓶中,用氫氣攜帶進(jìn)入反應(yīng)器。

   硅外延工藝操作分兩個(gè)步驟進(jìn)行。首先是準(zhǔn)備階段,準(zhǔn)各硅基片和進(jìn)行基座去硅處理;然后冉進(jìn)行硅的外延生長(zhǎng)。

   硅基片準(zhǔn)備是選擇適合的硅片作為外延襯底,然后進(jìn)行徹底的化學(xué)清洗,冉用氫氟酸腐蝕液腐蝕去除硅表面自然生長(zhǎng)的氧化層,用高純?nèi)ルx子水漂洗干凈,最后甩干(或用高純氮?dú)獯蹈?備用。基座去硅的主要目的是去除前次外延過(guò)程中附著在基座上的硅,以及在反應(yīng)器內(nèi)壁上附著的硅和其他雜質(zhì)。

   典型工藝流程為:N2預(yù)沖洗→H”預(yù)沖洗→升溫至850℃→升溫至1170℃→Hα排空→HCl腐蝕9H2沖洗一降溫-N2沖洗。