互擴(kuò)散效應(yīng)
發(fā)布時(shí)間:2017/5/9 21:59:19 訪問次數(shù):2089
互擴(kuò)散(Outcllfhs0n)效應(yīng)也稱為外擴(kuò)散效應(yīng),是指高溫外延時(shí),襯底與外延層的雜質(zhì)互相向濃度低的一方擴(kuò)散的現(xiàn)象。 LD2980CU50TR同樣,互擴(kuò)散效應(yīng)不僅會(huì)改變襯底和外延層的雜質(zhì)濃度及分布,當(dāng)外延層/襯底的雜質(zhì)類型不同時(shí)(如吖n或11/p外延),還會(huì)改變pll結(jié)位置。
互擴(kuò)散效應(yīng)是因外延溫度過高帶來的雜質(zhì)再擴(kuò)散現(xiàn)象,和自摻雜效應(yīng)不同,它不是本征效應(yīng),而是雜質(zhì)的固相擴(kuò)散帶來的。如果外延溫度降低,襯底和外延層中雜質(zhì)的相互擴(kuò)散現(xiàn)象就會(huì)減輕,甚至完全消失。
通常雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散速率遠(yuǎn)小于外延層的生長速率,可以認(rèn)為襯底中雜質(zhì)向外延層的擴(kuò)散,或者外延層中雜質(zhì)向襯底的擴(kuò)散,都如同在半無限大的固體中的擴(kuò)散。先假設(shè)外延生長時(shí)外延氣體中并無雜質(zhì),外延層中雜質(zhì)都來源于襯底擴(kuò)散;同理再假設(shè)襯底未摻雜,襯底雜質(zhì)都來源于外延層中雜質(zhì)的擴(kuò)散。圖310(b)是互擴(kuò)散效應(yīng)引起的雜質(zhì)再分布圖,各曲線分別表征的內(nèi)容和圖310(a)自摻雜圖類似。依據(jù)擴(kuò)散方程①,可以通過計(jì)算得到互擴(kuò)散后雜質(zhì)分布曲線,第一項(xiàng)是表征襯底雜質(zhì)向純凈外延層中擴(kuò)散得到的外延層雜質(zhì)分布,即圖⒊10(b)互擴(kuò)散中的點(diǎn)畫線;第二項(xiàng)是外延層中雜質(zhì)向純凈襯底中擴(kuò)散得到的襯底中雜質(zhì)分布,即圖310(b)互擴(kuò)散中的雙點(diǎn)畫線。襯底/外延層雜質(zhì)類型相同時(shí)兩項(xiàng)之間為“+”,相反時(shí)兩項(xiàng)之間為“―”。
實(shí)際氣相外延工藝中兩種雜質(zhì)再分布現(xiàn)象是同時(shí)存在的,所以實(shí)際雜質(zhì)分布是兩種雜質(zhì)再分布效應(yīng)的綜合效果。圖⒊11給出了氣相外延雜質(zhì)再分布曲線綜合效果示意圖。由圖⒊11可知,氣相外延工藝在外延層/襯底的界面附近雜質(zhì)濃度分布和理想情況差距較大,難以獲得界面雜質(zhì)濃度陡變的外延層,因此適合用于制備較厚的外延層。
互擴(kuò)散(Outcllfhs0n)效應(yīng)也稱為外擴(kuò)散效應(yīng),是指高溫外延時(shí),襯底與外延層的雜質(zhì)互相向濃度低的一方擴(kuò)散的現(xiàn)象。 LD2980CU50TR同樣,互擴(kuò)散效應(yīng)不僅會(huì)改變襯底和外延層的雜質(zhì)濃度及分布,當(dāng)外延層/襯底的雜質(zhì)類型不同時(shí)(如吖n或11/p外延),還會(huì)改變pll結(jié)位置。
互擴(kuò)散效應(yīng)是因外延溫度過高帶來的雜質(zhì)再擴(kuò)散現(xiàn)象,和自摻雜效應(yīng)不同,它不是本征效應(yīng),而是雜質(zhì)的固相擴(kuò)散帶來的。如果外延溫度降低,襯底和外延層中雜質(zhì)的相互擴(kuò)散現(xiàn)象就會(huì)減輕,甚至完全消失。
通常雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散速率遠(yuǎn)小于外延層的生長速率,可以認(rèn)為襯底中雜質(zhì)向外延層的擴(kuò)散,或者外延層中雜質(zhì)向襯底的擴(kuò)散,都如同在半無限大的固體中的擴(kuò)散。先假設(shè)外延生長時(shí)外延氣體中并無雜質(zhì),外延層中雜質(zhì)都來源于襯底擴(kuò)散;同理再假設(shè)襯底未摻雜,襯底雜質(zhì)都來源于外延層中雜質(zhì)的擴(kuò)散。圖310(b)是互擴(kuò)散效應(yīng)引起的雜質(zhì)再分布圖,各曲線分別表征的內(nèi)容和圖310(a)自摻雜圖類似。依據(jù)擴(kuò)散方程①,可以通過計(jì)算得到互擴(kuò)散后雜質(zhì)分布曲線,第一項(xiàng)是表征襯底雜質(zhì)向純凈外延層中擴(kuò)散得到的外延層雜質(zhì)分布,即圖⒊10(b)互擴(kuò)散中的點(diǎn)畫線;第二項(xiàng)是外延層中雜質(zhì)向純凈襯底中擴(kuò)散得到的襯底中雜質(zhì)分布,即圖310(b)互擴(kuò)散中的雙點(diǎn)畫線。襯底/外延層雜質(zhì)類型相同時(shí)兩項(xiàng)之間為“+”,相反時(shí)兩項(xiàng)之間為“―”。
實(shí)際氣相外延工藝中兩種雜質(zhì)再分布現(xiàn)象是同時(shí)存在的,所以實(shí)際雜質(zhì)分布是兩種雜質(zhì)再分布效應(yīng)的綜合效果。圖⒊11給出了氣相外延雜質(zhì)再分布曲線綜合效果示意圖。由圖⒊11可知,氣相外延工藝在外延層/襯底的界面附近雜質(zhì)濃度分布和理想情況差距較大,難以獲得界面雜質(zhì)濃度陡變的外延層,因此適合用于制備較厚的外延層。
上一篇:自摻雜效應(yīng)
熱門點(diǎn)擊
- 地心慣性坐標(biāo)系(ECI×J2000歷元坐標(biāo)系
- 用萬用表檢測(cè)繼電器常開、常閉觸點(diǎn)的方法
- 摻雜濃度及雜質(zhì)類型對(duì)氧化速率的影響
- 朗伯余弦定律
- EN61000-6-2對(duì)工頻磁場(chǎng)抗擾度的測(cè)量
- 兩分光束產(chǎn)生干涉效應(yīng)的最大光程差叫做該光源的
- Ⅴ族施主雜質(zhì)在硅中的電離能很小
- 填隙式擴(kuò)散
- 風(fēng)云三號(hào)(FY-3)衛(wèi)星
- 外延層參數(shù)測(cè)量
推薦技術(shù)資料
- 高速功耗比 (2.5MHz)
- 32 位微控制器 (MCU)&
- 微控制器RA Arm Cortex-M MC
- 32MHz Arm Cortex-M23 超
- RA2T1 系列微控制器
- CNC(計(jì)算機(jī)數(shù)控)和制造機(jī)械系統(tǒng)應(yīng)用探究
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究