由于雜質再分布現(xiàn)象使得氣相外延工藝難以獲得理想陡變的雜質分布外延層,限制了 LD2981ABU33TR該工藝在薄外延層生長方面的應用。因此,減小進而消除雜質再分布現(xiàn)象一直是氣相外延工藝的一個重要研究內容。日前,可以采取以下措施來減小雜質再分布效應的影響。

   ①在保證外延質量和速度的前提下,盡量降低氣相外延生長溫度。但是,對于雜質砷來說效果不顯著,因為砷的自摻雜程度隨著外延溫度的降低而增強。

   ②對于n型襯底,如果在外延之前需要進行埋層摻雜,應采用蒸氣壓低且擴散速率也低的雜質作為埋層雜質,如通常使用銻作為埋層摻雜,而不使用蒸氣壓高的砷和擴散速率較高的磷。

   ③對于重摻雜的襯底,可以使用輕摻雜的硅薄層來密封重摻雜襯底的底面和側面,進而減少雜質的外逸,使自摻雜程度降低。

   ④進行低壓外延,這對抑制自摻雜效應有利。在低壓

  下襯底表面的邊界層變薄,襯底外逸的大部分雜質就可以 很快擴散穿越邊界層進人主氣流區(qū),被主流氣體帶離反應器,這種方法對砷和磷的抑制效果顯著,而對硼的作用不明顯。