基于不同的工藝需求,隨著氣相外延工藝的發(fā)展出現(xiàn)了多樣化的外延技術(shù)。為了減LD2982BM30R小自摻雜效應(yīng),出現(xiàn)了低壓外延I藝。為了實(shí)現(xiàn)只在襯底的特定區(qū)域生長外延層,出現(xiàn)了硅的選擇外延技術(shù)。還有異質(zhì)外延中的SOI技術(shù)等多種工藝技術(shù)。

   低壓外延(I'o曠Pressurc Ephaxy)是指對外延反應(yīng)器抽真空,控制反應(yīng)室內(nèi)外延氣體壓力在1×10s~2×104Pa之間的外延工藝。

   當(dāng)反應(yīng)室內(nèi)氣體壓力降低時(shí),一方面,在低壓下氣體分子密度降低由式(3-10)可知,分子平均自由程將增大,雜質(zhì)氣相擴(kuò)散速度也就加快9雜質(zhì)穿越邊界層進(jìn)人主氣流區(qū)所需時(shí)間就大大縮短;另一方面,氣體密度降低,由式(3△2)可知,氣流邊界層厚度增加,這將延長由襯底逸出的雜質(zhì)穿越邊界層所需要的時(shí)間。從綜合效果看,雜質(zhì)氣相擴(kuò)散速度加快的影響占主要地位。例如,當(dāng)壓力由1×lσ Pa降至約1Pa日寸,雜質(zhì)氣相擴(kuò)散系數(shù)增加幾百倍,而由于壓力降低邊界層厚度的增大只有3~10倍。雖然兩種效應(yīng)同時(shí)對雜質(zhì)穿越邊界層的時(shí)問產(chǎn)生影響,但其中擴(kuò)散速度增大的影響是主要的,實(shí)際上雜質(zhì)穿越邊界層的時(shí)間是減少了一個(gè)數(shù)量級。因此,由于壓力降低,襯底逸出的雜質(zhì)能快速穿越邊界層進(jìn)人主氣流區(qū)被排出反應(yīng)器,重新進(jìn)入外延層的機(jī)會(huì)減小,從而降低了自摻雜效應(yīng)對外延層中雜質(zhì)濃度及分布的影響。