其他常用的外延方法還有液相外延、固相外延,以及金屬有機(jī)物化學(xué)氣相外延等先進(jìn)外延技術(shù)。液相MAX1779EUE外延和固相外延是物理夕卜延方法,金屬有機(jī)物化學(xué)氣相外延是化學(xué)外延和固相外延相結(jié)合的外延方法。

    液相外延

   液相外延(uq“d Pha∞Epitaxy,LPE)是利用熔融溶液的飽和溶解度隨溫度降低而下降,通過降溫使所需外延材料溶質(zhì)結(jié)晶析出在襯底上生長外延層的工藝方法。I'PE首先由Nd№n在1963年提出,最先是被用于Ⅲ―Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料的外延,直到20世紀(jì)60年代末出現(xiàn)了以錫或鉛為溶劑的硅液相外延技術(shù)。  

   硅的液相外延是采用低熔點(diǎn)金屬作為溶劑,常用的溶劑有錫、鉍、鉛及其合金等。

   例如,以錫為溶劑,硅為溶質(zhì),在949℃將硅溶人錫中,制備錫硅的熔融飽和溶液,然后降低溫度10~30°C,溶液過飽和,溶質(zhì)硅從熔融溶液中析出,在單晶硅襯底上生Κ出硅外延層。IPE摻雜,通常是在熔融溶液中直接添加鎵、鋁等摻雜劑,在硅從過飽和溶液中析出的同時也析出,在硅襯底上生長硅外延層。