LPE主要有兩種方式
發(fā)布時(shí)間:2017/5/10 22:27:32 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):3086
LPE主要有兩種方式:水平滑動(dòng)法和垂直浸人法。水平滑動(dòng)法是應(yīng)用最廣泛的I'PE方法,因?yàn)?a title="MAX1807EUB" href=" http://www.hqwq.cn/MAX_S/MAX1807EUB.html">MAX1807EUB它能直接生長(zhǎng)出厚度和均勻性良好的多層結(jié)構(gòu)外延層。通用的水平滑動(dòng)式LPE系統(tǒng)示意圖如圖3⒛所示,圖中的活動(dòng)爐內(nèi)有滑軌裝置,滑車(chē)置于軌道上,滑車(chē)上有若干個(gè)裝有不同溶液的熔池,每個(gè)熔池用于生長(zhǎng)不同的外延層。例如,一個(gè)熔池中的溶液含有p型摻雜劑,另一個(gè)熔池中的溶液含有n型摻雜劑,用兩個(gè)熔池就可以制備帶pn結(jié)的外延層;(chē)與襯底座緊密配合,當(dāng)把裝有指定溶液的熔池滑動(dòng)至襯底上面時(shí),生長(zhǎng)即可開(kāi)始。溶液槽組件由石墨制成。溶液并不浸潤(rùn)石墨,這樣當(dāng)滑車(chē)移走時(shí)通過(guò)擦抹作用使熔融溶液脫離襯底。從而達(dá)到結(jié)柬生長(zhǎng)的日的。整個(gè)裝置裝在石英管中,管中一般通人高純氫氣。石英管置于可移動(dòng)的多溫區(qū)爐內(nèi)?梢酝ㄟ^(guò)手動(dòng)或由計(jì)算機(jī)控制的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的推桿移動(dòng)滑車(chē)的位置。通常在溶液槽上安裝有石墨蓋,以防止熔融溶液蒸發(fā)和污染。
在LPE中,外延層生長(zhǎng)速率和厚度是由熔融溶液的過(guò)飽和度和襯底與熔融溶液接觸時(shí)間決定的。LPE是熱力學(xué)準(zhǔn)平衡過(guò)程,溫度降低快,過(guò)飽和度就大,外延速率也就加快。生長(zhǎng)速度因襯底晶向不同而差別很大。但是,當(dāng)溫度降低過(guò)快時(shí),原子排列時(shí)間太短,外延層生κ質(zhì)量會(huì)下降。相對(duì)于VPE和MBE而言,IPE生長(zhǎng)速率較快,安全性高,在制備厚的硅外延層時(shí)常被采用。而對(duì)于生長(zhǎng)非常薄的外延層來(lái)說(shuō)難以實(shí)現(xiàn)可控生長(zhǎng),這和生長(zhǎng)起始與終結(jié)的方式有關(guān)。因此薄層外延通常不采用I'E△藝。IPE相對(duì)于VPE而言工藝溫度低,互擴(kuò)散效應(yīng)也就不嚴(yán)重,而目~沒(méi)有白摻雜效應(yīng),所以雜質(zhì)再分布現(xiàn)象弱。另外,LPE的適應(yīng)性強(qiáng),相對(duì)于MBE而言設(shè)備簡(jiǎn)單,△藝成本較低,但外延表面形貌通常不如MBE的好。
LPE主要有兩種方式:水平滑動(dòng)法和垂直浸人法。水平滑動(dòng)法是應(yīng)用最廣泛的I'PE方法,因?yàn)?a title="MAX1807EUB" href=" http://www.hqwq.cn/MAX_S/MAX1807EUB.html">MAX1807EUB它能直接生長(zhǎng)出厚度和均勻性良好的多層結(jié)構(gòu)外延層。通用的水平滑動(dòng)式LPE系統(tǒng)示意圖如圖3⒛所示,圖中的活動(dòng)爐內(nèi)有滑軌裝置,滑車(chē)置于軌道上,滑車(chē)上有若干個(gè)裝有不同溶液的熔池,每個(gè)熔池用于生長(zhǎng)不同的外延層。例如,一個(gè)熔池中的溶液含有p型摻雜劑,另一個(gè)熔池中的溶液含有n型摻雜劑,用兩個(gè)熔池就可以制備帶pn結(jié)的外延層;(chē)與襯底座緊密配合,當(dāng)把裝有指定溶液的熔池滑動(dòng)至襯底上面時(shí),生長(zhǎng)即可開(kāi)始。溶液槽組件由石墨制成。溶液并不浸潤(rùn)石墨,這樣當(dāng)滑車(chē)移走時(shí)通過(guò)擦抹作用使熔融溶液脫離襯底。從而達(dá)到結(jié)柬生長(zhǎng)的日的。整個(gè)裝置裝在石英管中,管中一般通人高純氫氣。石英管置于可移動(dòng)的多溫區(qū)爐內(nèi)?梢酝ㄟ^(guò)手動(dòng)或由計(jì)算機(jī)控制的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的推桿移動(dòng)滑車(chē)的位置。通常在溶液槽上安裝有石墨蓋,以防止熔融溶液蒸發(fā)和污染。
在LPE中,外延層生長(zhǎng)速率和厚度是由熔融溶液的過(guò)飽和度和襯底與熔融溶液接觸時(shí)間決定的。LPE是熱力學(xué)準(zhǔn)平衡過(guò)程,溫度降低快,過(guò)飽和度就大,外延速率也就加快。生長(zhǎng)速度因襯底晶向不同而差別很大。但是,當(dāng)溫度降低過(guò)快時(shí),原子排列時(shí)間太短,外延層生κ質(zhì)量會(huì)下降。相對(duì)于VPE和MBE而言,IPE生長(zhǎng)速率較快,安全性高,在制備厚的硅外延層時(shí)常被采用。而對(duì)于生長(zhǎng)非常薄的外延層來(lái)說(shuō)難以實(shí)現(xiàn)可控生長(zhǎng),這和生長(zhǎng)起始與終結(jié)的方式有關(guān)。因此薄層外延通常不采用I'E△藝。IPE相對(duì)于VPE而言工藝溫度低,互擴(kuò)散效應(yīng)也就不嚴(yán)重,而目~沒(méi)有白摻雜效應(yīng),所以雜質(zhì)再分布現(xiàn)象弱。另外,LPE的適應(yīng)性強(qiáng),相對(duì)于MBE而言設(shè)備簡(jiǎn)單,△藝成本較低,但外延表面形貌通常不如MBE的好。
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