化學(xué)氣相淀積是以氣相方式輸運(yùn)源,通過化學(xué)反應(yīng)物在單晶或非晶襯底上淀積形成多晶或非晶薄膜的工藝技術(shù)。C、①工藝方法和設(shè)各都與WIPE類似,其實(shí)XlPE也是一種C、①技術(shù), MAX1853EXT 只是對襯底和工藝條件的要求更加嚴(yán)格,而生長的薄膜是單晶外延層而已。超高真空化學(xué)氣相淀積(UHV/CX/ID)是1986年由1BM提出的新工藝,通常生長室基壓可達(dá)lO7Pa,源為硅烷(SiH4),襯底為晶格完好的單晶硅,在6O0~750℃之間,甚至更低溫度,淀積薄膜為單晶硅。

   UHV/C的最大優(yōu)點(diǎn)是I藝溫度低,這有利于制備雜質(zhì)陡變分布的薄外延層。而且由于外延生長室真空度高,減少了殘余氣體帶來的污染。另外,設(shè)各操作維護(hù)比較簡單,易于實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。當(dāng)前,這種工藝技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)界。

   金屬有機(jī)物氣相外延

   金屬有機(jī)物氣相外延(Metd Organic Vapor Phase E帥axy,MOVPE),在多數(shù)情況下叉稱為金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)。該△藝早在1968年就已出現(xiàn),主要用來制備化合物半導(dǎo)體單晶薄膜。近年來,該工藝技術(shù)發(fā)展迅速,已用于制備界面雜質(zhì)陡變分布的異質(zhì)結(jié)、超晶格和選擇摻雜等新結(jié)構(gòu)的外延薄膜,MOCVD已成為制備優(yōu)質(zhì)外延層的重要手段。

   MOCVD采用Ⅲ、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和Ⅴ族、Ⅵ族元素的氫化物作為源材料,以熱分解反應(yīng)在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長Ⅲ―Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體,以及它們的多元固溶體薄膜。例如,采用MC)CⅥ)兩步I藝外延GaAs/s。以二甲基鎵E記為TMG,分子式:Ga(cH3)3彐或三乙基鎵(記為TEG)和砷烷為源材料,第一步,升溫至410~4∷50℃,源在硅襯底-L反應(yīng),生成250A砷化鎵過渡層;第二步,升溫至700℃,生長砷化鎵外延層,同時(shí)過渡層也轉(zhuǎn)化為單晶.