OCVD工藝日益受到人們的廣泛重視,主要是由于它具有下列一些顯著的特點(diǎn):

   ①可以通過精確控制各種氣體的流量來控制外延層的成分、導(dǎo)電類型、載流子MAX1858EEG-T濃度、厚度等特性,可以生長薄到零點(diǎn)幾納米到幾納米的薄層和多層結(jié)構(gòu)。

   ②同其他外延置藝相比,可以制備更大面積、更均勻的薄膜。

   ③有機(jī)源特有的提純技術(shù)使得MC)C`①技術(shù)比其他半導(dǎo)體材料制備技術(shù)獲得的材料純度提高了一個數(shù)量級。

   ④晶體的生長速率與Ⅲ族源的供給量成正比,因而改變輸運(yùn)量,就可以大幅度地改變外延生長速率(0.05~1um/min)。

   ⑤M(￡VD是低壓外延生長技術(shù)。因?yàn)閴毫^低,提高了生長過程的控制精度,能減少自摻雜;有希望在重?fù)揭r底上進(jìn)行窄過渡層的外延生長,能獲得襯底/外延層界面雜質(zhì)分布更陡的外延層;便于生長InP、GaInAsP等含Ill組分的化合物外延層。

   但是,MOC、0工藝涉及復(fù)雜化學(xué)反應(yīng),存在使用有毒氣體(AsH3、PH3)等問題。