氧或水汽在二氧化硅中的溶解、擴散,以及在硅/二氧化硅界面的化學反應速率均是溫度的函數(shù)。

   溫度對熱氧化速率影響很大,高溫下、H20擴散和反應均較快,且02略快于H・O,但是兩KPHHS-1005ZGC-V者在二氧化硅中的溶解度相差很大―H20的溶解度約是02的600倍,囚此,水汽熱氧化速率遠大于干氧 熱氧化速率。溫度對拋物型速率常數(shù)B的影響是通過氧化劑在⒊02中擴散系數(shù)D“)產(chǎn)生的。由B的定義可知,B與溫度之間也是指數(shù)關系。

    圖⒋11所示為溫度對干/濕氧氧化的拋物型速率常數(shù)B的影響測試。圖412所示是氧氣和水汽在熔融硅石中的擴散系數(shù)。干氧氧化時,B的激活能是1.24eV,這個值很接近氧在熔融硅石(類似于熱氧化工氧化硅的結構)中的擴散系數(shù)的激活能1,17eV。濕氧氧化激活能值為0,71eV,這個值與水汽在熔融硅石中的擴散系數(shù)激活能0.79eV基本一致。線性速率常數(shù)B/A與溫度的關系如圖413所示。對于干氧氧化和濕氧氧化都是指數(shù)關系,激活能分別為2,0cV和1,96eV。其值接近s一⒊鍵斷裂所需要的1.83eV的能量值,說明支配線性速率常數(shù)B/A的主要囚素是化學反應常數(shù)與溫度的關系其是實驗常數(shù),它與單位晶面上能與氧化劑反應的硅價鍵數(shù)成正比c由L述各圖中數(shù)據(jù)可得出在不同氧化氣氛下,A、B及B/A值隨氧化溫度的變化,如表42所示。由圖413可見,在三種氧化氣氛下,隨著溫度升高,A值減小,B、B/A值增大。