擴散速率

   雜質(zhì)在二氧化硅和硅中的擴散速率不同.熱氧化時,將引起s/sQ界面雜質(zhì)的再分布。ONET8501PBRGTR擴散系數(shù)D是描述雜質(zhì)擴散速率快慢的一個參數(shù),一般情況下,按雜質(zhì)在隕先中擴散速率的快慢叉可分為快擴散雜質(zhì)和慢擴散雜質(zhì)。

   界面移動

   熱氧化時,界面向硅內(nèi)部移動,界面移動的速率對s泅Q界面雜質(zhì)再分布也有影響。界面移動速率取 60 65 70 75 80 85 90 95 決于氧化速率。水汽氧化速率遠大于干氧氧化速率。水汽氧化時,⒏/Si(|界面雜質(zhì)的再分布就遠小于干氧氧化。

   圖⒋23 在各種不同氧化類型中,硼在  而濕氧氧化速率介于水汽、干氧之間,s/s(九界面雜質(zhì)的硅中的分凝系數(shù)與溫度的關系 再分布也介于水汽、干氧之間。