通過熱氧化在硅表面生長的氧化層在后續(xù)I藝中可作為掩膜使用,也可作為電絕緣層和元器件的組成部分,OV10620-C48A其生長質(zhì)量及性能指標(biāo)是否可以達(dá)到上述各功能使用要求,必須在生長I藝后進行必要的檢測。檢測主要包括⒏Θ2層厚度和成膜質(zhì)量測量兩部分。

    Sio.2層厚度的測量

   在生產(chǎn)實踐中。測量s02層厚度的方法目前用得最多的是光學(xué)干涉條紋法。如在要求不很精確的情況下,也可方便地用比色法來進行估測。SiO2膜是否致密可通過折射率來反映,較為精確的厚度與折射率檢測多采用橢圓偏振法。

   比色法 半導(dǎo)體晶片上的透明介質(zhì)膜受白光垂直照射時,部分光線在介質(zhì)膜表面直接反射,另一部分則透過介質(zhì)膜并在膜與襯底的界面反射后再透射出來。由于這兩部分光束之間存在著光程差而產(chǎn)生光的干涉。光程差的數(shù)值取決于膜的厚度,光的相干干涉的結(jié)果就會使一定厚度的介質(zhì)膜呈現(xiàn)出特定的顏色。這樣,根據(jù)介質(zhì)膜在垂直光照下的顏色就可判定出膜的厚度。通過用其他更為準(zhǔn)確的方法所測定的厚度作為標(biāo)準(zhǔn),已建立起顏色和厚度的詳細(xì)對照表,表⒋4所示為白光下s02層厚度與干涉色彩的關(guān)系。為了避免誤差,還可以設(shè)置一套標(biāo)準(zhǔn)比色樣品進行對照判定。值得注意的是,需要根據(jù)工藝條件估計氧化層厚度所處的周期。