圖⒋28所示是在硅中高斯分布的硼經(jīng)熱氧化后的濃度分布情況。圖中虛ORIONC1線表示的是熱氧化前理想的高斯分布,圓點表示的是熱氧化后硼分布的實驗結(jié)果。圖中實線是按Κ=0.1計算的再分布情形。

   圖⒋28 在硅中高斯分布的硼經(jīng)熱

   了解熱氧化時s/SiO2界面雜質(zhì)的再分布特性,可以通過氧化工藝來調(diào)整硅表面的雜質(zhì)濃度。例如,在3DK4硼擴散預(yù)淀積工序中,當(dāng)雜質(zhì)濃度偏大時,就可以通過二次氧化(也就是再分布)來調(diào)整硅表面的雜質(zhì)濃度:將干氧――濕氧一干氧I藝的初次干氧時間縮短,甚至直接進行濕氧,濕氧時間增加,但氧化總時間不變。工次氧化后,硅表面硼濃度將有所降低,這是因為在氧化引起雜質(zhì)再分布的幾個因素中,⒊/SiO2界面移動速率是主要因素:濕氧氧化速率快,預(yù)淀積在硅表面的硼在還未擴散到硅內(nèi)部時就被迅速生長的二氧化硅吸收。其次,由于雜質(zhì)的分凝效應(yīng),二氧化硅吸收硼(K:=0.3)。