由圖⒌13中曲線(xiàn)可見(jiàn),硅內(nèi)濃度比表面濃度低兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上時(shí),橫向擴(kuò)散的距離約為縱向擴(kuò)散距離的75%~85%,這說(shuō)明橫向結(jié)的距離要比垂直結(jié)的距離小。 R1170H181B-T1-HB如果是高濃度擴(kuò)散情況,橫向擴(kuò)散的距離為縱向擴(kuò)散距離的65%~70%。在粗略的近似下,可以認(rèn)為橫向擴(kuò)散的距離就等于縱向擴(kuò)散的距離。擴(kuò)散pll結(jié)的橫截面在擴(kuò)散窗口邊緣處可近似認(rèn)為是圓形的,但這只適用于襯底未摻雜或摻雜均勻的情況。對(duì)于經(jīng)過(guò)擴(kuò)散摻雜的襯底(如擴(kuò)散基區(qū)),其中雜質(zhì)濃度的分布在橫向是均勻的,但在縱向則不是均勻的,在這種襯底上進(jìn)行掩蔽擴(kuò)散(如發(fā)射區(qū)擴(kuò)散)時(shí),在窗口邊緣處的橫向擴(kuò)散結(jié)深將明顯地小于縱向擴(kuò)散結(jié)深,如圖514所示是橫向和縱向擴(kuò)散結(jié)深示意圖。

   圖513 氧化物窗口邊緣擴(kuò)散雜質(zhì)等濃度曲線(xiàn)

   由于橫向擴(kuò)散的存在,實(shí)際擴(kuò)散區(qū)域要比二氧化硅窗口的尺寸大,其后果是硅內(nèi)擴(kuò)散區(qū)域之間的實(shí)際距離比由光刻版所確定的尺寸要小,如圖515所示是橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度對(duì)溝道長(zhǎng)度的影響。圖515中L表示由光刻工藝所決定的兩個(gè)區(qū)域之間的距離,L′表示實(shí)際距離,這種效應(yīng)直接影響ULsI的集成度。另外,在這種情況下擴(kuò)散后,窗口邊緣處的濃度要比窗口中部的濃度低,由于擴(kuò)散區(qū)域的變大,對(duì)結(jié)電容也將產(chǎn)生一定的影響。不過(guò)這在實(shí)際中無(wú)關(guān)緊要,因?yàn)閿U(kuò)散pll結(jié)處的濃度總比表面濃度低得多。離子注入的橫向擴(kuò)展小、摻雜溫度低、控制精度高。囚此,在LSI和VIsI中常采用離子注人進(jìn)行摻雜。