雜質(zhì)(施主或受主雜質(zhì))在硅中擴(kuò)散時(shí),是以電離施主(或受主)和電子(或空穴)各自進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的。R1170H251B-T1-F由于電子(或空穴)的擴(kuò)散速率比雜質(zhì)離子的擴(kuò)散速率大得多,則電子(或空穴)將遠(yuǎn)遠(yuǎn)擴(kuò)散在雜質(zhì)離子的前頭,從而在硅片內(nèi)形成一內(nèi)建電場(chǎng)E,它的方向正好起著幫助運(yùn)動(dòng)較慢的雜質(zhì)離子加速擴(kuò)散的作用,這種現(xiàn)象稱(chēng)為場(chǎng)助擴(kuò)散效應(yīng)(如圖516所示)。

   圖516 場(chǎng)助擴(kuò)散效應(yīng)

   在高濃度擴(kuò)散時(shí),由于場(chǎng)助擴(kuò)散效應(yīng)等的作用,使得擴(kuò)散雜質(zhì)的濃度分布不再遵循簡(jiǎn)單的余誤差分布或高斯分布,而是在表面附近處的濃度梯度變小,內(nèi)部的濃度梯度增大。表現(xiàn)在擴(kuò)散系數(shù)D上,當(dāng)磽10"cm3時(shí),D不再是常數(shù)。