雜質(zhì)(施主或受主雜質(zhì))在硅中擴散時,是以電離施主(或受主)和電子(或空穴)各自進行擴散運動的。R1170H251B-T1-F由于電子(或空穴)的擴散速率比雜質(zhì)離子的擴散速率大得多,則電子(或空穴)將遠遠擴散在雜質(zhì)離子的前頭,從而在硅片內(nèi)形成一內(nèi)建電場E,它的方向正好起著幫助運動較慢的雜質(zhì)離子加速擴散的作用,這種現(xiàn)象稱為場助擴散效應(yīng)(如圖516所示)。

   圖516 場助擴散效應(yīng)

   在高濃度擴散時,由于場助擴散效應(yīng)等的作用,使得擴散雜質(zhì)的濃度分布不再遵循簡單的余誤差分布或高斯分布,而是在表面附近處的濃度梯度變小,內(nèi)部的濃度梯度增大。表現(xiàn)在擴散系數(shù)D上,當(dāng)磽10"cm3時,D不再是常數(shù)。