離子注人深度隨離子能量的增加而增加,囚此摻雜深度可通過控制離子束能量的高低來實現(xiàn)。 PA886C02另外,在注人過程中可精確控制電荷量,從而可精確控制摻雜濃度.因此通過控制注入離子的能量和劑量,以及采用多次注入相同或不同雜質(zhì),可得到各種形式的雜質(zhì)分布,對于突變型的雜質(zhì)分布及淺結(jié)的制各.采用離子注入技術很容易實現(xiàn)。

   離子注人是一個非熱力學平衡過程,不受雜質(zhì)在襯底材料中的固溶度限制,原則上對各種元素均可摻雜(但摻雜劑占據(jù)基質(zhì)格點而變?yōu)榧せ铍s質(zhì)是有限的),這就使摻雜工藝靈活多樣.適應性強。根據(jù)需要可從幾十種元素中挑選合適的n型或p型雜質(zhì)進行摻雜。

   離子注人時的襯底溫度較低,這樣就避免了高溫擴散所引起的熱缺陷。

   離子注人的直進性,注人雜質(zhì)是按掩膜的圖形近于垂直入射,這樣的摻雜方法,橫向效應比熱擴散小很多,這一特點有利于芯片特征尺寸的縮小。

   離子往往可以通過硅表面上的薄膜(如sK)2)注入到硅中,因此硅表面上的薄膜起到了保護膜作用,可以防止污染。