4種超淺結(jié)離子摻雜新技術(shù)的比較見表67。

   應(yīng)用超淺結(jié)摻雜新技術(shù)時(shí)需要考慮的問題主要有:新的超淺結(jié)技術(shù)是否可同時(shí)用于pˉn結(jié)和pn・結(jié), OB2269CP實(shí)現(xiàn)源/漏和柵摻雜;會(huì)不會(huì)造成柵氧化層中陷阱的充放電和物理損傷;X寸裸露硅的損傷會(huì)不會(huì)形成瞬態(tài)增強(qiáng)擴(kuò)散和雜質(zhì)的再分布;工藝是否兼容現(xiàn)有的典型的CM()S掩膜材料;是否會(huì)引入可充當(dāng)深能級(jí)中心的重金屬元素和影響雜質(zhì)擴(kuò)散、激活和M(B器件可靠性的氟、氫、碳、氮等元素沾污等。這些都是有待研究解決的納米CMOS超淺結(jié)方面的問題。在⒛08年的IEDM(Intelnaoond⒈lectron De訪c∞Meeting)會(huì)議上,超淺結(jié)被列為22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)最具有挑戰(zhàn)性的15項(xiàng)技術(shù)之一,其重要性可見一斑。注入材料、工藝和設(shè)各的更新將推動(dòng)超淺結(jié)技術(shù)向前發(fā)展。

   本章小結(jié)

   本章就離子注入技術(shù)的基本原理、離子注人技術(shù)的劑量與分布形式、注入帶來的損傷及消除辦法、離子注人工藝的設(shè)備與工藝流程、離子注人技術(shù)的應(yīng)用和超淺結(jié)形成技術(shù)進(jìn)行介紹。

   單元習(xí)題二

   1.Slo膜網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是什么?氧和雜質(zhì)在⒊02網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中的作用和用途是什么?對(duì)彌,.膜性能有哪些影響?

   2.在so系統(tǒng)中存在哪幾種電荷?它們對(duì)器件性能有些什么影響?工藝上如何降低它們的密度?

   3.欲對(duì)擴(kuò)散雜質(zhì)起有效的屏蔽作用,對(duì)so膜有何要求?I藝上如何控制氧化膜生長質(zhì)量?

   4.由熱氧化機(jī)理解釋干、濕氧速率相差很大這一現(xiàn)象。

   5.薄層氧化工藝(10nm以下氧化層)過程中應(yīng)注意哪些要求?現(xiàn)采用的工藝有哪些?

   6.摻氯氧化工藝為何對(duì)提高氧化膜質(zhì)量有作用?

   7.熱氧化法生長1000A厚的柵氧化層,工藝條件:1000℃,干氧氧化,無初始氧化層。試問氧化I藝需多長時(shí)間?

   8.硅芯片為避免芯片沾污,可否最后熱氧化一層⒏O2作為保護(hù)膜?為什么?

   9.求下列條件下的固溶度與擴(kuò)散系數(shù):