4種超淺結離子摻雜新技術的比較見表67。

   應用超淺結摻雜新技術時需要考慮的問題主要有:新的超淺結技術是否可同時用于pˉn結和pn・結, OB2269CP實現源/漏和柵摻雜;會不會造成柵氧化層中陷阱的充放電和物理損傷;X寸裸露硅的損傷會不會形成瞬態(tài)增強擴散和雜質的再分布;工藝是否兼容現有的典型的CM()S掩膜材料;是否會引入可充當深能級中心的重金屬元素和影響雜質擴散、激活和M(B器件可靠性的氟、氫、碳、氮等元素沾污等。這些都是有待研究解決的納米CMOS超淺結方面的問題。在⒛08年的IEDM(Intelnaoond⒈lectron De訪c∞Meeting)會議上,超淺結被列為22nm技術節(jié)點最具有挑戰(zhàn)性的15項技術之一,其重要性可見一斑。注入材料、工藝和設各的更新將推動超淺結技術向前發(fā)展。

   本章小結

   本章就離子注入技術的基本原理、離子注人技術的劑量與分布形式、注入帶來的損傷及消除辦法、離子注人工藝的設備與工藝流程、離子注人技術的應用和超淺結形成技術進行介紹。

   單元習題二

   1.Slo膜網絡結構特點是什么?氧和雜質在⒊02網絡結構中的作用和用途是什么?對彌,.膜性能有哪些影響?

   2.在so系統(tǒng)中存在哪幾種電荷?它們對器件性能有些什么影響?工藝上如何降低它們的密度?

   3.欲對擴散雜質起有效的屏蔽作用,對so膜有何要求?I藝上如何控制氧化膜生長質量?

   4.由熱氧化機理解釋干、濕氧速率相差很大這一現象。

   5.薄層氧化工藝(10nm以下氧化層)過程中應注意哪些要求?現采用的工藝有哪些?

   6.摻氯氧化工藝為何對提高氧化膜質量有作用?

   7.熱氧化法生長1000A厚的柵氧化層,工藝條件:1000℃,干氧氧化,無初始氧化層。試問氧化I藝需多長時間?

   8.硅芯片為避免芯片沾污,可否最后熱氧化一層⒏O2作為保護膜?為什么?

   9.求下列條件下的固溶度與擴散系數: