在集成電路制造中,注入離子的能量一般為5~500keV.而注入的叉往往是重離子。這樣的注人情況,進(jìn)人靶內(nèi)的離子不僅與靶內(nèi)的自由電子和束縛電子發(fā)生相互作用,而且與靶內(nèi)原子核發(fā)生相互作用。 PA905C6基于這種情況,在1963年,J。ut1d№rd、⒌腕rⅡ和H.E,⒌hot首先確立了注人離子在靶內(nèi)的分布理論,簡稱LSs理論。該理論認(rèn)為,人射離子在靶內(nèi)的能量損失分為兩個彼此獨立的過程,即人射離子與原子核的碰撞(核阻擋過程)和與電子(束縛電子和自由電子)的碰撞(電子阻擋過程),總能量損失為它們的和。因此,為了確定注入離子的濃度(或射程)分布,首先應(yīng)考慮入射離子與樣品中的原子核和電子發(fā)生相互作用而損失能量的過程。

   核碰撞指的是人射離子與靶內(nèi)原子核之問的相互碰撞。離子與原子核碰撞,離子將能量轉(zhuǎn)移給靶原子核,這使人射離子發(fā)生偏轉(zhuǎn),也使很多靶原子核從原來的格點移位。由于人射離子與靶原子的質(zhì)量一般不同,因此每次碰撞之后,入射離子都可能發(fā)生大角度的散射并失去一定的能量;靶原子核也因碰撞而獲得能量,如果獲得的能量大于原子束縛能,就會離開原來所在位置,進(jìn)人晶格間隙,成為填隙原子核并留下一個空位,形成缺陷。