注入離子引起的晶格損傷可能是簡單的點(diǎn)缺陷,也可能是復(fù)雜的損傷復(fù)合體,甚至使M64026FP晶體結(jié)構(gòu)完全受到破壞而變?yōu)闊o序的非晶層。晶格損傷情況,不僅與人射離子的質(zhì)量、能量有關(guān),而且與離子注人劑量、劑量率以及靶溫和晶向等因素有關(guān),以下將使晶體剛剛變成非晶層的各種影響因素的臨界量進(jìn)行簡單介紹。

   與注入劑量的關(guān)系

   當(dāng)注入劑量較低時(shí),各個(gè)人射離子形成的損傷區(qū)彼此很少重疊,注人區(qū)內(nèi)形成的將是許多互相隔開的損傷區(qū)。當(dāng)注人劑量增大時(shí),各個(gè)損傷區(qū)最終將會發(fā)生重疊而形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注人劑量稱為臨界劑量。一般來說,在一定的條件下,隨著注入劑量的增加,所引起的晶格損傷也更加嚴(yán)重。當(dāng)劑量達(dá)到一定數(shù)量時(shí),就會形成完全無序的非晶層。例如,將Irl・注人Ge或?qū)?Sb=、Ga÷、P+注人⒏中,注人層損傷量隨注人劑量變化的關(guān)系如圖623所示。由圖623可知,當(dāng)注入劑量較小時(shí),損傷量隨注人劑量成正比地增加;當(dāng)注入劑量增大到某個(gè)值時(shí),損傷量不再增加,趨于飽和。損傷量飽和正是對應(yīng)于連續(xù)非晶層的形成。開始飽和的注人劑量就稱為臨界劑量。由圖623還可看到,注人的離子質(zhì)量越小,其臨界劑量越大。