離子注入時的靶溫,對晶格損傷的程度和變化有著重要的影響。如果降低注人時靶的溫度,空位的遷移率減小,在注人過程中缺陷從損傷區(qū)逸出的速率降低, M64084A缺陷的積累率增 加,這有利于非晶層的形成。故降低注人溫度時,臨界劑量隨之減小。例如,將r、P`sb÷離子注入硅中,硅靶形成非晶層的臨界劑量與靶溫的關(guān)系曲線如圖624所示。由圖可以看到,在室溫附近,臨界劑量與溫度的倒數(shù)成指數(shù)關(guān)系,隨 鬣10⒖著溫度升高,臨界劑量增大。在低溫,臨界劑量趨向一恒定值。如果靶溫在室溫或室溫以下,這時空位的遷移率較低, 唾lθ" 缺陷從畸變區(qū)域中逸出的速率較低。由注人離子產(chǎn)生的缺陷就可直接集合而形成穩(wěn)定的損傷區(qū),這些損傷區(qū)的缺陷密度是很高的,可以看成是非晶區(qū)。