注入離子在靶內(nèi)的分布可近似認為是高斯型的,然而在消除晶格損傷、恢復(fù)電M74HC595RM13TR學(xué)參數(shù)和激活載流子所進行的熱退火過程中,會使高斯分布有明顯的展寬,偏離了注人時的分布,尤其是尾部的偏離更為嚴重,出現(xiàn)了較長的按指數(shù)衰減的尾巴。在注入條件和退火時間相同的條件下,經(jīng)不同溫度退火后的硼原子濃度分布情況如圖627所示。

  實際上,熱退火溫度同熱擴散時的溫度相比,要低得多。在比較低的溫度下,對于晶體中的雜質(zhì)來說,擴散系數(shù)是很小的,雜質(zhì)擴散很慢,甚至可以忽略。但是,對于注入?yún)^(qū)的雜質(zhì),即使在比較低的溫度下,雜質(zhì)擴散效果也是非常顯著的,這是因為注入離子所造成的晶格損傷使硅內(nèi)的空位密度比熱平衡時晶體內(nèi)的空位密度要大得多。另外,由于離子注入也使晶體內(nèi)存在大量的間隙原子和各種缺陷,這些原因都會使擴散系數(shù)增大,擴散效應(yīng)增強c正因如此,有時也稱熱退火過程中的擴散為增強擴散。因為在⒏和Gc中,慢擴散雜質(zhì)B、川、Ga、In、P、As、Sb等是通過空位而進行擴散的,故其熱擴散系數(shù)應(yīng)與空位密度成正比。由于離子注人會引起空位密度增加,因而擴散系數(shù)增大導(dǎo)致擴散增強。實驗還表明,當增加離子注人速率時,由于缺陷的產(chǎn)生率增加,離子注人區(qū)的空位密度也隨之增加,則增強擴散效應(yīng)也更加顯著。