圖626表示磷的等時(shí)退火特性,虛線所M74HC4066RM13TR表示的是損傷區(qū)還沒有變?yōu)榉蔷訒r(shí)的退火特性,實(shí)線 則表示非晶層的退火特性。當(dāng)劑量從3×1012olrls/cm2增到3×10noⅡ/cm2時(shí),注人層不是無定形,為消除更為復(fù)雜的無規(guī)則損傷,需要相應(yīng)提高退火溫度。在低劑量時(shí),磷的退火特性與硼相似,然而,當(dāng)劑量大于1015oll~s/cm2時(shí),形成的無定形層出現(xiàn)了不同退火機(jī)理。對(duì)所有高劑量注人,基本適合的退火溫度僅600℃左右,此時(shí)在單晶襯底上發(fā)生無定形層的同相外延生長(zhǎng),此溫度低于非無定形的退火溫度。在外延生長(zhǎng)過程中,Ⅴ族施主原子與硅原子沒有區(qū)別地同時(shí)以替代位方式結(jié)合人晶格。無定形層在深度上不連續(xù),是掩埋層情況的,退火的外延生長(zhǎng)過程可同時(shí)出現(xiàn)在兩個(gè)界面上9當(dāng)生長(zhǎng)界面 圖⒍26 磷的等時(shí)退火特性   最后相遇時(shí)可能發(fā)生位錯(cuò)現(xiàn)象。深度分布的不同部位的退火行為也有差別:在尾部的低濃度(101s菠om√cm3)摻雜(表層濃度相當(dāng)10121ons/c很容易退火,而分布的次無定形(中等濃度至1017atoms/cm3)部分中的摻雜只有較低激活率。這種現(xiàn)象來源于注人的無定形層邊界和低濃度的分布尾部之間存在高密度缺陷。

    關(guān)于室溫注入砷和銻的退火特性,除了它們?cè)谳^低劑量就可形成無定形層之外,基本上與磷注人的退火特性相同。表63所示為一些雜質(zhì)在退火后在s、Ge晶格中的位置。在同樣退火條件下,硅中注人的P、B、Bl、乩皆有較為良好的退火特性,85%以上的注入離子都處于替位位置。