投射式氣體浸入激光摻雜(P―GILD)是一種變革性的摻雜技術(shù),它可以得到其他方法難以獲得的突變摻雜分布、超淺結(jié)深度和相當(dāng)?shù)偷拇?lián)電阻。 RT8208BGQW通過(guò)在一個(gè)系統(tǒng)中相繼完成摻雜、退火和形成圖形,PGILD技術(shù)對(duì)工藝有著極大的簡(jiǎn)化,這大大地降低了系統(tǒng)的I藝設(shè)備成本。近年來(lái),該技術(shù)已成功地用于CMOs器件和雙極型器件的制備中。RGII'D技術(shù)有著許多不同的結(jié)構(gòu)形式和布局,但原理基本一致,它們都有兩個(gè)激光發(fā)生器、均勻退火和掃描光學(xué)系統(tǒng)、介質(zhì)刻線區(qū)、摻雜氣體室和分布步進(jìn)光刻機(jī)。晶片被浸在摻雜的氣體環(huán)境中(如BF3、AsF5),第一個(gè)激光發(fā)生器用來(lái)將雜質(zhì)淀積 在硅片上,第二個(gè)激光發(fā)生器通過(guò)熔化硅的淺表面層將雜質(zhì)推進(jìn)到晶片中,而摻雜的圖形則由第二個(gè)激光束掃描介質(zhì)刻線區(qū)來(lái)獲得。在這一工藝技術(shù)中,熔融硅層再生長(zhǎng)的同時(shí)完成雜質(zhì)激活,不需要附加退火過(guò)程。

   P-GILD技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì):由于PGILD技術(shù)無(wú)須附加退火過(guò)程,整個(gè)熱處理過(guò)程僅在納秒數(shù)量級(jí)內(nèi)完成,故該技術(shù)避免了常規(guī)離子注人的相關(guān)問(wèn)題,如溝道效應(yīng)、光刻膠、超淺結(jié)與一定激活程度之間的矛盾等。

    P-GILD要缺點(diǎn)是集成工藝復(fù)雜,技術(shù)尚不成熟,目前還未成功地應(yīng)用于℃芯片的加工中。