真空蒸鍍?cè)O(shè)備有多種類(lèi)型,不同工藝方法采用的設(shè)各也有所不同。而且,ON4986隨著工藝技術(shù)的發(fā)展,蒸鍍?cè)O(shè)備的發(fā)展也非常迅速。盡管如此,所有蒸鍍?cè)O(shè)備都由以下4部分組成:真空室、真空系統(tǒng)、監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及控制臺(tái)。圖811所示是真空蒸鍍系統(tǒng)示意圖。

   當(dāng)前常用蒸鍍系統(tǒng)的主要組成部分如下。

   真空室

   真空室是蒸鍍系統(tǒng)的核心部分,主要是為蒸發(fā)過(guò)程提供真空環(huán)境,由金屬鐘罩和平臺(tái)構(gòu)成,其極限真空度應(yīng)在104Pa以上。真空室內(nèi)主要有源加熱器、擋板、襯底支架及其控溫裝置等。另外,監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的探頭(如膜厚檢測(cè)裝置等)也在真空室內(nèi)。

   源加熱器是為源提供能量使其蒸發(fā)的裝置。早期使用電阻加熱器,隨著技術(shù)的進(jìn)步出現(xiàn)了電感加熱器、電子束加熱器和激光加熱器等。通常蒸鍍系統(tǒng)中都有多個(gè)加熱器,這樣可以在不打開(kāi)高真空

室的情況下就順次或同時(shí)蒸發(fā)多種不同的源材料。

   流的快門(mén)。為獲得純凈的鍍膜,應(yīng)在源蒸發(fā)數(shù)秒之后再打開(kāi)擋板,而在停止源蒸發(fā)數(shù)秒之前就關(guān)斷擋板。

   襯底支架及其控溫裝置是用來(lái)擺放襯底硅片的支架,它有轉(zhuǎn)動(dòng)功能,以獲得厚度均勻的薄膜;控溫裝置能為襯底加熱、控溫,襯底溫度通�？刂圃趲资翈装贁z氏度范圍。